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Transistor de transistor MOSFET de puissance

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Anterwell Technology Ltd.

Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

Contact:MissSharon Yang

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Très réduit sur le transistor MOSFET IC IRLML6402TRPBF de puissance de la résistance HEXFET

Demander le dernier prix

Numéro de type :IRLML6402TRPBF

Point d'origine :Japon

Quantité d'ordre minimum :20pcs

Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal

Capacité d'approvisionnement :5200PCS

Délai de livraison :jour 1

Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails

Vidangez la tension de source :-20 V

Courant continu de drain, VGS @ -4.5V :-2,2 A

Pulsés Égoutter actuelle? :-22 A

Dissipation de puissance :1,3 W

Facteur de sous-sollicitation linéaire :0,01 W/°C

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Ultra Low sur résistance HEXFET power mosfet ic IRLML6402TRPBF

♦Ultra basse résistance

♦P-Channel MOSFET

♦SOT-23 empreinte

(♦Low) profil<>

♦Available en bande et bobine

♦Fast de commutation

Ces MOSFET canal P de International Rectifier utiliser des techniques de traitement de pointe pour atteindre onresistance extrêmement faible par surface de silicium. Cette indemnité, combinée à la vitesse de commutation rapide et conception robuste dispositif qui HEXFET® puissance MOSFET sont bien connus, est le concepteur avec un dispositif extrêmement efficace et fiable pour utilisation dans la gestion de batterie et de charge.

Une grille de connexion améliorées thermiquement grande électrode a été incorporé dans le package standard de SOT-23 pour produire un HEXFET Power MOSFET avec la plus petite empreinte de l’industrie. Ce paquet, surnommé le Micro3™, est idéal pour les applications où l’espace carte de circuit imprimé est à une prime. Le profil bas (<1.1mm) of="" the="" micro3="" allows="" it="" to="" fit="" easily="" into="" extremely="" thin="" application="" environments="" such="" as="" portable="" electronics="" and="" pcmcia="" cards.="" the="" thermal="" resistance="" and="" power="" dissipation="" are="" the="" best="">

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