Transistor MOSFET complémentaire en plastique de puissance de Darlington, transistors de puissance de silicium 2N6038
Des transistors de puissance complémentaires en plastique de silicium de Darlington sont conçus pour l'amplificateur d'usage universel et les applications de changement low−speed.
• Gain actuel élevé de C.C — hFE = 2000 (type) @ IC = 2,0 CDA
• Tension soutenante de collecteur-émetteur — @ mAdc 100
VPrésident(sus) = 60 volts continu (minute) — 2N6035, 2N6038 = 80 volts continu
(Minute) — 2N6036, 2N6039
• Capacité actuelle polarisée en aval I de deuxième panneS/b = 1,5 CDA @ 25 volts continu
• Construction monolithique avec les résistances intégrées d'émetteur de base à la multiplication de LimitELeakage
• Paquet élevé de plastique du rapport TO-225AA de Représentation-à-coût d'économie de l'espace
ESTIMATIONS MAXIMUM
| Évaluation |
Symbole |
Valeur |
Unité |
|
Tension 2N6034 de Collector−Emitter
2N6035, 2N6038
2N6036, 2N6039
|
VPRÉSIDENT |
40
60
80
|
Volts continu |
|
Tension 2N6034 de Collector−Base
2N6035, 2N6038
2N6036, 2N6039
|
VCBO |
40
60
80
|
Volts continu |
| Tension d'Emitter−Base |
VEBO |
5,0 |
Volts continu |
|
Courant de collecteur continu
Crête
|
IC |
4,0
8,0
|
CDA
Apk
|
| Courant bas |
IB |
100 |
mAdc |
|
Dissipation totale de dispositif @ comité technique = 25°C
Sous-sollicitez au-dessus de 25°C
|
PD |
40
320
|
W
mW/°C
|
|
Dissipation totale de dispositif @ comité technique = 25°C
Sous-sollicitez au-dessus de 25°C
|
PD |
1,5
12
|
W
mW/°C
|
| Opération et température ambiante de jonction de stockage |
TJ, stgde T |
– 65 à +150 |
°C |
CARACTÉRISTIQUES THERMIQUES
| Caractéristique |
Symbole |
Maximum |
Unité |
| Résistance thermique, Junction−to−Case |
RJC |
3,12 |
°C/W |
| Résistance thermique, Junction−to−Ambient |
RJA |
83,3 |
°C/W |
Les efforts dépassant des estimations maximum peuvent endommager le dispositif. Les estimations maximum sont des estimations d'effort seulement. L'opération fonctionnelle au-dessus des conditions de fonctionnement recommandées n'est pas impliquée. L'exposition prolongée aux efforts au-dessus des conditions de fonctionnement recommandées peut affecter la fiabilité de dispositif.
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (comité technique = 25C sauf indication contraire)
| Caractéristique |
Symbole |
Minute |
Maximum |
Unité |
| OUTRE DES CARACTÉRISTIQUES |
|
|
|
|
|
Tension soutenante de Collector−Emitter
(IC = 100 mAdc, IB = 0) 2N6034 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039
|
VPrésident(sus) |
40
60
80
|
--
--
--
|
Volts continu |
|
Courant de Collector−Cutoff
(VCE = 40 volts continu, IB = 0) 2N6034
(VCE = 60 volts continu, IB = 0) 2N6035, 2N6038
(VCE = 80 volts continu, IB = 0) 2N6036, 2N6039
|
IPRÉSIDENT |
--
--
--
|
100
100
100
|
uA |
|
Courant de Collector−Cutoff
(VCE = 40 volts continu, VBE () = 1,5 volts continu) 2N6034
(VCE = 60 volts continu, VBE () = 1,5 volts continu) 2N6035, 2N6038
(VCE = 80 volts continu, VBE () = 1,5 volts continu) 2N6036, 2N6039
(VCE = 40 volts continu, VBE () = 1,5 volts continu, comités techniques = 125C) 2N6034
(VCE = 60 volts continu, VBE () = 1,5 volts continu, comités techniques = 125C) 2N6035, 2N6038
(VCE = 80 volts continu, VBE () = 1,5 volts continu, comités techniques = 125C) 2N6036, 2N6039
|
ICEX |
--
--
--
--
--
--
|
100
100
100
500
500
500
|
uA |
|
Courant de Collector−Cutoff
(VCB = 40 volts continu, IE = 0) 2N6034
(VCB = 60 volts continu, IE = 0) 2N6035, 2N6038
(VCB = 80 volts continu, IE = 0) 2N6036, 2N6039
|
ICBO |
--
--
--
|
0,5
0,5
0,5
|
mAdc |
| Courant d'Emitter−Cutoff (VBE = 5,0 volts continu, IC = 0) |
IEBO |
-- |
2,0 |
mAdc |
| SUR DES CARACTÉRISTIQUES |
|
|
|
|
|
Gain actuel de C.C
(IC = 0,5 CDA, VCE = 3,0 volts continu)
(IC = 2,0 CDA, VCE = 3,0 volts continu)
(IC = 4,0 CDA, VCE = 3,0 volts continu)
|
hFE |
500
750
100
|
--
15 000
--
|
-- |
|
Tension de saturation de Collector−Emitter
(IC = 2,0 CDA, IB = mAdc 8,0)
(IC = 4,0 CDA, IB = mAdc 40)
|
VCE(reposé) |
--
--
|
2,0
3,0
|
Volts continu |
|
Tension de saturation de Base−Emitter
(IC = 4,0 CDA, IB = mAdc 40)
|
VSOYEZ(reposé) |
-- |
4,0 |
Volts continu |
|
Base−Emitter sur la tension
(IC = 2,0 CDA, VCE = 3,0 volts continu)
|
VSOYEZ(dessus) |
-- |
2,8 |
Volts continu |
| CARACTÉRISTIQUES DYNAMIQUES |
|
|
|
|
|
Small−Signal Current−Gain
(IC = 0,75 CDA, VCE = 10 volts continu, f = 1,0 mégahertz)
|
|Fede h| |
25 |
-- |
-- |
|
Capacité de sortie
(VCB = 10 volts continu, IE = 0, f = 0,1 mégahertz) 2N6034, 2N6035, 2N6036 2N6038, 2N6039
|
Obde C |
--
--
|
200
100
|
PF |
Données enregistrées par JEDEC de *Indicates.
