Transistors de puissance planaires épitaxiaux de silicium de PNP/NPN 2SC5707 pour la commutation à forte intensité
Applications
• Convertisseur de C.C/C.C, conducteurs de relais, conducteurs de lampe, conducteurs de moteur, éclair
Caractéristiques
• Adoption des processus de FBET et de MBIT.
• Grande capacité actuelle.
• Basse tension de saturation de collecteur-à-émetteur.
• Commutation ultra-rapide.
• Dissipation de puissance permise élevée.
Caractéristiques () : 2SA2040
Capacités absolues à Ta=25°C
| Paramètre |
Symbole |
Conditions |
Estimations |
Unité |
| Tension de Collecteur-à-base |
VCBO |
-- |
(--50) 100 |
V |
| Tension de Collecteur-à-émetteur |
VCES |
-- |
(--50) 100 |
V |
| Tension de Collecteur-à-émetteur |
VPRÉSIDENT |
-- |
(--) 50 |
V |
| Tension d'Émetteur-à-base |
VEBO |
-- |
(--) 6 |
V |
| Courant de collecteur |
IC |
-- |
(--) 8 |
A |
| Courant de collecteur (impulsion) |
ICP |
-- |
(--) 11 |
A |
| Courant bas |
IB |
-- |
(--) 2 |
A |
| Dissipation de collecteur |
PC |
--
Tc=25°C
|
1,0
15
|
W
W
|
| La température de jonction |
Tj |
-- |
150 |
°C |
| Température de stockage |
Stgde T |
-- |
--55 à +150 |
°C |
Caractéristiques électriques à Ta=25°C
| Paramètre |
Symbole |
Conditions |
minimal. |
Type. |
maximum. |
unité |
| Courant de coupure de collecteur |
ICBO |
VCB= (--) 40V, C.-À-D. =0A |
-- |
-- |
(--) 0,1 |
µA |
| Courant de coupure d'émetteur |
IEBO |
VEB= (--) 4V, IC=0A |
-- |
-- |
(--) 0,1 |
µA |
| Gain actuel de C.C |
Fede h |
VCE= (--) 2V, IC= (--) 500mA |
200 |
-- |
560 |
-- |
| Produit de Gain-largeur de bande |
fT |
VCE= (--) 10V, IC= (--) 500mA |
-- |
(290) 330 |
-- |
Mégahertz |
| Capacité de sortie |
Épi |
VCB= (--) 10V, f=1MHz |
-- |
(50) 28 |
-- |
PF |
| Tension de saturation de Collecteur-à-émetteur |
VCE (reposé) 1
VCE (reposé) 2
|
IC= (--) 3.5A, IB= (--) 175mA
IC= (--) 2A, IB= (--) 40mA
|
--
--
|
(--230) 160
(--240) 110
|
(--390) 240
(--400) 170
|
système mv
système mv
|
| Base--Emitterr À la tension de saturation |
VSOYEZ (reposé) |
IC= (--) 2A, IB= (--) 40mA |
-- |
(--) 0,83 |
(--) 1,2 |
V |
| Tension claque de Collecteur-à-base |
V(BR)CBO |
IC= (--) 10µA, C.-À-D. =0A |
(--50) 100 |
-- |
-- |
V |
| Tension claque de Collecteur-à-émetteur |
V(BR)CES |
IC= (--) 100µA, RBE=0Ω |
(--50) 100 |
-- |
-- |
V |
| Tension claque de Collecteur-à-émetteur |
PRÉSIDENT V(DEBR) |
IC= (--) 1mA, RBE=∞ |
(--) 50 |
-- |
-- |
V |
| Tension claque d'Émetteur-à-base |
V(BR)EBO |
C.-À-D. = (--) 10µA, IC=0A |
(--) 6 |
-- |
-- |
V |
| Temps d'ouverture |
tdessus |
See a spécifié le circuit d'essai. |
-- |
(40) 30 |
-- |
NS |
| Temps d'entreposage |
stgde t |
See a spécifié le circuit d'essai. |
-- |
(225) 420 |
-- |
NS |
| Temps de chute |
tf |
See a spécifié le circuit d'essai. |
-- |
25 |
-- |
NS |
Le paquet dimensionne des dimensions de paquet
unité : unité de millimètre : millimètre
7518-003 7003-003
Circuit d'essai de temps de commutation
