Atténuateur de Digital, 30 DBs, gigahertz AT-220 de 4-Bit DC-2.0
Schéma fonctionnel de caractéristiques
• Étapes de l'atténuation 2-dB au DB 30 
• De grande précision
• Bas produit d'intermodulation : +50 dBm IP3
• Basse consommation d'alimentation CC : µW 50
• Paquet du plastique SOIC-16
• Empaquetage de bande et de bobine disponible
• Stabilité de température +/--0,15 DB : -40°C à +85°C
Description
M/A-COM AT-220 est 4 un bit, 2-dB atténuateur numérique de l'étape GaAs MMIC dans un paquet extérieur de plastique de bâti d'avance du coût bas SOIC 16. L'AT-220 approprié idéalement pour l'usage où de grande précision, commutation rapide, consommation de puissance faible très et de bas produits d'intermodulation sont exigés. Les applications typiques incluent l'équipement par radio et cellulaire, le LANs sans fil, l'équipement de GPS et autre des circuits de gain/contrôle de niveau.
L'AT-220 est fabriqué avec une GaAs monolithique MMIC utilisant un processus mûr de 1 micron. Les caractéristiques de processus
pleine passivation de puce pour la représentation et la fiabilité accrues.
Brochage
| Pin non. |
Fonction |
Pin non. |
Fonction |
| 1 |
VC1 |
9 |
RF2 |
| 2 |
VC1 |
10 |
LA terre |
| 3 |
VC2 |
11 |
LA terre |
| 4 |
VC2 |
12 |
LA terre |
| 5 |
VC3 |
13 |
LA terre |
| 6 |
VC3 |
14 |
LA terre |
| 7 |
VC4 |
15 |
LA terre |
| 8 |
VC4 |
16 |
RF1 |
Capacités absolues 1
| Paramètre |
Maximum absolu |
|
Puissance d'entrée :
50 mégahertz
500-2000 mégahertz
|
dBm +27
dBm +34
|
| Commandez la tension |
-8,5 ≤ 5V du ≤ VC de V |
| Température de fonctionnement |
-40°C à +85°C |
| Température de stockage |
-65°C à +150°C |
1. Le dépassement de des n'importe quelles ou combinaison de ces limites peut causer la constante
dommages à ce dispositif.
Caractéristiques électriques : MERCI = 25°C, VC = 0 V/−5 V, Z0 = Ω 50
| Paramètre |
Conditions d'essai |
Fréquence |
Unités |
Minute |
Type |
Maximum |
| Perte par insertion (état de référence) |
|
C.C - 0,5 gigahertz
Dc -1,0 gigahertz
Dc -2,0 gigahertz
|
DB
DB
DB
|
--
--
--
|
1,5
1,6
1,8
|
1,7
1,8
2,1
|
| Exactitude 2 d'atténuation |
|
Dc -1,0 gigahertz
Dc -2,0 gigahertz
|
DB du ± (0,15 DB + 3% de l'arrangement d'Atten dans le DB)
DB du ± (0,30 DB + 4% de l'arrangement d'Atten dans le DB)
|
| VSWR |
|
|
Rapport |
-- |
1.2:1 |
-- |
| Trise, Tfall |
10% à 90% rf, 90% à 10% rf |
-- |
NS |
-- |
12 |
-- |
| Tonne, dandy |
Contrôle de 50% à 90% rf,
Contrôle de 50% à 10% rf
|
-- |
NS |
-- |
18 |
-- |
| Coupures |
Dans-bande |
-- |
système mv |
-- |
25 |
-- |
| 1 compression de DB |
Puissance d'entrée
Puissance d'entrée
|
0,05 gigahertz
0,5 - 2,0 gigahertz
|
dBm de dBm |
--
--
|
20
28
|
--
--
|
| IP2 |
Mesuré relativement à la puissance d'entrée
(Pour la puissance d'entrée à deux tons jusqu'à dBm +5)
|
0,05 gigahertz
0,5 - 2,0 gigahertz
|
dBm de dBm |
--
--
|
45
68
|
--
--
|
| IP3 |
Mesuré relativement à la puissance d'entrée
(Pour la puissance d'entrée à deux tons jusqu'à dBm +5)
|
0,05 gigahertz
0,5 - 2,0 gigahertz
|
dBm de dBm |
--
--
|
40
50
|
--
--
|
| Commandez le courant |
|VC| = 5 V |
|
µA |
-- |
|
100 |
2. Les caractéristiques d'exactitude d'atténuation s'appliquent avec le contrôle polarisé négatif et fondre de faible induction.
SOIC-16
Courbes de représentation typiques
