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Accueil / produits / Power Mosfet Transistor /

transistor MOSFET FDV305N de PowerTrench de N-canal de transistor de transistor MOSFET de la puissance 20V

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China transistor MOSFET FDV305N de PowerTrench de N-canal de transistor de transistor MOSFET de la puissance 20V wholesale
  • China transistor MOSFET FDV305N de PowerTrench de N-canal de transistor de transistor MOSFET de la puissance 20V wholesale

transistor MOSFET FDV305N de PowerTrench de N-canal de transistor de transistor MOSFET de la puissance 20V
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Numéro de type :FDV305N
Point d'origine :Originale
Quantité d'ordre minimum :5pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :290pcs
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
tension de Drain-source :20 V
Tension de Porte-Source :± 12 V
Dissipation de puissance maximum :0,35 W
Courant d'entrée :±5 mA
Opération et température ambiante de jonction de stockage :– °C 55 à +150
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transistor MOSFET FDV305N de PowerTrench de N-canal de transistor de transistor MOSFET de la puissance 20V

Transistor MOSFET de  de PowerTrench de N-canal de FDV305N 20V

 

 

Description générale

Ce transistor MOSFET du N-canal 20V emploie le processus à haute tension de PowerTrench de Fairchild. Il a été optimisé pour des applications de gestion de puissance.

 

Applications

• Commutateur de charge

• Protection de batterie

• Gestion de puissance transistor MOSFET FDV305N de PowerTrench de N-canal de transistor de transistor MOSFET de la puissance 20V

 

 

Caractéristiques

• 0,9 A, 20 V

MΩ 220 du RDS (DESSUS) = @ VGS = 4,5 V

MΩ 300 du RDS (DESSUS) = @ VGS = 2,5 V

• Basse charge de porte

• Vitesse de commutation rapide

• Technologie de fossé de haute performance pour extrêmement - le bas RDS (DESSUS)

 

Capacités absolues

Symbole  Paramètre  Estimations  Unités
VSAD  Tension de Drain-source 20  V
VGSS   Tension de Porte-source ± 12 V
ID 

Courant de drain – continu

                      – Pulsé

0,9

2

 A
PD Dissipation de puissance maximum  0,35   W
TJ, TSTG  Opération et température ambiante de jonction de stockage – 55 à +150  °C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Mots clés du produit:

trench gate mosfet

voltage power optimizer
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