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N - Transistor à effet de champ de mode d'amélioration de niveau de logique de la Manche P0903BDL

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Province / État:guangdong
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China N - Transistor à effet de champ de mode d'amélioration de niveau de logique de la Manche P0903BDL wholesale
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N - Transistor à effet de champ de mode d'amélioration de niveau de logique de la Manche P0903BDL
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Numéro de type :P0903BDL
Point d'origine :Originale
Quantité d'ordre minimum :5pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :290pcs
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Tension de Porte-Source :20 V
Courant continu de drain :50 A
Drain pulsé Current1 :200 A
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage :°C -55 à 150
La température d'avance (1 /16 » de point de droit pour sec 10.) :°C 275
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ESTIMATIONS ET CARACTÉRISTIQUES de DIODE de SOURCE-DRAIN (comité technique = °C) 25

Courant continu   IS       50      A
Courant pulsé3   ISM       150
Tension en avant1 VÉCART-TYPE IS = 25A, VGS = 0V   0,9 1,3      V
Temps de rétablissement inverse trr IF = IS, dlF/dt = 100A/µS   70        NS
Courant de récupération d'inversion maximal IRM (REC)   200          A 
Charge inverse de récupération     0,043        µC

 

 

CARACTÉRISTIQUES TYPIQUES

N - Transistor à effet de champ de mode d'amélioration de niveau de logique de la Manche P0903BDL

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