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Anterwell Technology Ltd.

Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

Contact:MissSharon Yang

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100V 80A, transistor de transistor MOSFET de la puissance 9mз a qualifié à la capacité FDB3632 de l'AEC Q101 UIS

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Numéro de type :FDB3632

Point d'origine :Thaïlande

Quantité d'ordre minimum :20pcs

Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal

Capacité d'approvisionnement :5200PCS

Délai de livraison :jour 1

Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails

Vidangez à la tension de source :100 v

Porte à la tension de source :±20 V

Continu (T 80 C.A. < 111oC, VGS = 10V) :80 A

Continu (Tamb = 25oC, VGS = 10V, RθJA = 43oC/W) :12 A

Énergie simple d'avalanche d'impulsion (note 1) :393 MJ

Dissipation de puissance :310 W

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FDB3632/FDP3632/FDI3632

Transistor MOSFET 100V, 80A, 9mΩ de PowerTrench® de N-canal

Caractéristiques

• le RDS (DESSUS) = 7.5mΩ (type.), VGS = 10V, identification = 80A

• Qg (doigt) = 84nC (type.), VGS = 10V

• Basse charge de Miller

• Basse diode de corps de QRR

• Capacité d'UIS (impulsion simple et impulsion répétitive)

• Qualifié au type développemental 82784 de l'AEC Q101 autrefois

Applications

• Convertisseurs de DC/DC et UPS en différé

• Architectures distribuées et VRMs de puissance

• Commutateur primaire pour les systèmes 24V et 48V

• Redresseur synchrone à haute tension

• Injection directe/systèmes d'injection diesel

• contrôle de charge 42V des véhicules à moteur

• Systèmes électroniques de train de valve

Mots clés du produit:

48v rectifier power system

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