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Transistor de puissance épitaxial du silicium NPN d'ISC d'APPLICATIONS d'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE de transistor de silicium de NPN 2SC5200

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China Transistor de puissance épitaxial du silicium NPN d'ISC d'APPLICATIONS d'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE de transistor de silicium de NPN 2SC5200 wholesale
  • China Transistor de puissance épitaxial du silicium NPN d'ISC d'APPLICATIONS d'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE de transistor de silicium de NPN 2SC5200 wholesale

Transistor de puissance épitaxial du silicium NPN d'ISC d'APPLICATIONS d'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE de transistor de silicium de NPN 2SC5200
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Numéro de type :2SC5200
Point d'origine :Originale
Quantité d'ordre minimum :20pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :5200PCS
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Capacité à forte intensité :IC = 15A.
Dissipation de puissance élevée :150watts.
Haute fréquence :30MHz
Haute tension :Vceo=230V
Tension de collecteur-base :230 V
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2SC5200/FJL4315

Transistor épitaxial de silicium de NPN

Applications Transistor de puissance épitaxial du silicium NPN d'ISC d'APPLICATIONS d'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE de transistor de silicium de NPN 2SC5200

• Amplificateur haute-fidélité de sortie audio

• Amplificateur de puissance d'usage universel

 

Caractéristiques

• Capacité à forte intensité : IC = 15A.

• Dissipation de puissance élevée : 150watts.

• Haute fréquence : 30MHz.

• Haute tension : VCEO=230V

• S.O.A large pour l'opération fiable.

• Excellentes linéarités de gain pour bas THD.

• Complément à 2SA1943/FJL4215.

• Les modèles thermiques et électriques d'épice sont disponibles.

• Le même transistor est également disponible dans :

-- Paquet de TO3P, 2SC5242/FJA4313 : 130 watts

-- TO220 paquet, FJP5200 : 80 watts

-- Paquet de TO220F, FJPF5200 : 50 watts

 

Ratings* maximum absolu merci = 25°C sauf indication contraire

Symbole  Paramètre  Estimations Unités
LA BVCBO 230 V Tension de collecteur-base de BVCBO  230  V
PRÉSIDENTDE LA BV Tension de collecteur-émetteur  230  V
LA BVEBO   Tension 5 V d'Émetteur-base de BVEBO 5  V
IC   Courant de collecteur (C.C) 15 A
IB  Courant bas 1,5  A
PD

Dissipation totale de dispositif (TC=25°C)

Sous-sollicitez au-dessus de 25°C

150

1,04

W

W/°C
TJ, TSTG  Jonction et température de stockage - 50 | +150 °C

 

Caractéristiques typiques

Transistor de puissance épitaxial du silicium NPN d'ISC d'APPLICATIONS d'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE de transistor de silicium de NPN 2SC5200

Mots clés du produit:

npn and pnp transistor working

power amplifier linearization

linearization power amplifier
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