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Transistors de puissance du silicium PNP (applications d'amplificateur de puissance) 2SA1943

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MissSharon Yang
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Transistors de puissance du silicium PNP (applications d'amplificateur de puissance) 2SA1943

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Numéro de type :2SA1943
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :20pcs
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :10000PCS
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Tension de collecteur-base :-230 V
Tension de collecteur-émetteur :-230 V
tension d'Émetteur-base :-5 V
Courant de collecteur :-15 A
Courant bas :-1,5 A
Dissipation de puissance de collecteur :150 W
La température de jonction :150℃
La température de stockage :-55~150 ℃
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Transistors de puissance du silicium PNP 2SA1943

 

DESCRIPTION

·Avec le paquet de TO-3PL Transistors de puissance du silicium PNP (applications d'amplificateur de puissance) 2SA1943

·Complément pour dactylographier 2SC5200

 

 

APPLICATIONS

·Applications d'amplificateur de puissance

·Recommandé pour 100W de haute fidélité

 étape de sortie d'amplificateur de fréquence sonore

 

 

GOUPILLER

    PIN    DESCRIPTION
     1   Émetteur
     2

  Collecteur ; relié à

  base de support

     3   Base

 

 

 

 

CARACTÉRISTIQUES Tj=25℃ sauf indication contraire

 SYMBOLE        PARAMÈTRE    CONDITIONS    MINUTE    TYPE.   Max   UNITÉ
 PRÉSIDENT V(DEBR)  Tension claque de collecteur-émetteur  IC=-50mA ; IB=0   -230        V
 VCEsat  Tension de saturation de collecteur-émetteur  IC=-8A IB=-0.8A       -3,0    V
 VSOYEZ  Tension d'émetteur de base  IC=-7A ; VCE=-5V       -1,5    V
 ICBO  Courant de coupure de collecteur  VCB=-230V ; C.-À-D. =0       -5   μA
 IEBO  Courant de coupure d'émetteur  VEB=-5V ; IC=0       -5   μA
 hFE-1  Gain actuel de C.C  IC=-1A ; VCE=-5V    55     160  
 hFE-2  Gain actuel de C.C  IC=-7A ; VCE=-5V    35      
 fT  Fréquence de transition  IC=-1A ; VCE=-5V      30     Mégahertz
 COB  Capacité de sortie de collecteur  f=1MHz ; VCB=-10V     360     PF

 

classifications du ‹ hFE-1

      R          O
   55-110       80-160

 

CONTOUR DE PAQUET

Transistors de puissance du silicium PNP (applications d'amplificateur de puissance) 2SA1943

 

 

Transistors de puissance du silicium PNP (applications d'amplificateur de puissance) 2SA1943

 

 

 

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