Transistor à effet de champ de TOSHIBA
Type de MOS de la Manche du silicium N (π−MOSIII) 2SK2611
Applications de convertisseur de DC−DC, d'entraînement de relais et d'entraînement de moteur
* bas drain−source SUR la résistance : Rdu Ω 1,1deDS(DESSUS) = (type.)
* accès de transfert en avant élevé : |Yfs| = 7,0 S (type.)
* bas courant de fuite : ISAD = μA 100 (maximum) (VDS = 720 V)
* Enhancement−mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Poids : 4,6 g (type.)
Capacités absolues (merci = 25°C)
| Caractéristiques |
Symbole |
Évaluation |
Unité |
| Tension de Drain−source |
VSAD |
900 |
V |
| Tension de Drain−gate (RGS = kΩ 20) |
VDGR |
900 |
V |
| Tension de Gate−source |
VGSS |
±30 |
V |
| Vidangez le courant |
C.C (note 1) |
ID |
9 |
A |
| Impulsion (note 1) |
IDP |
27 |
A |
| Vidangez la dissipation de puissance (comité technique = 25°C) |
PD |
150 |
W |
| Énergie simple d'avalanche d'impulsion (note 2) |
EAS |
663 |
MJ |
| Courant d'avalanche |
IL'AR |
9 |
A |
| Énergie répétitive d'avalanche (note 3) |
EAR |
15 |
MJ |
| La température de la Manche |
Tch |
150 |
°C |
| Température ambiante de température de stockage |
Stgde T |
−55~150 |
°C |
Note : L'utilisation sans interruption sous des charges lourdes (par exemple l'application d'à hautes températures/de courant/de tension et de la modification importante dans la température, etc.) peut faire diminuer ce produit dans la fiabilité de manière significative même si les conditions de fonctionnement (c.-à-d. température de fonctionnement/courant/tension, etc.) sont dans les capacités absolues. Veuillez concevoir la fiabilité appropriée lors de passer en revue le manuel de fiabilité de semi-conducteur de Toshiba (concept et méthodes de /Derating « manipulant précautions ») et les différentes données de fiabilité (c.-à-d. rapport des essais de fiabilité et taux d'échec, etc. prévus).
Caractéristiques thermiques
| Caractéristiques |
Symbole |
Maximum |
Unité |
| Résistance thermique, canal au cas |
RdeTh(ch−c) |
0,833 |
°C/W |
| Résistance thermique, canal à ambiant |
RdeTh(ch−a) |
50 |
°C/W |
Note 1 : Veuillez utiliser les dispositifs à condition que la température de canal soit au-dessous de 150°C.
Note 2 : Vdensité double = 90 V, Tch = 25°C (initiale), L = 15 MH, RG = 25 Ω, Il'AR = 9 A
Note 3 : Estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température maximum de canal
Ce transistor est un dispositif sensible électrostatique.
Manipulez svp avec prudence.
Repérage
