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Anterwell Technology Ltd.

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China Empreinte de pas très réduite IRLML6402TRPBF de changement rapide du transistor MOSFET SOT-23 de P-canal de transistor MOSFET de puissance de la Sur-résistance HEXFET wholesale

Empreinte de pas très réduite IRLML6402TRPBF de changement rapide du transistor MOSFET SOT-23 de P-canal de transistor MOSFET de puissance de la Sur-résistance HEXFET

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Numéro de type :IRLML6402TRPBF

Point d'origine :Originale

Quantité d'ordre minimum :20pcs

Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal

Capacité d'approvisionnement :5200PCS

Délai de livraison :jour 1

Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails

Vidangez la tension de source :-20 V

Courant continu de drain, VGS @ -4.5V :-3,7 A

Courant continu de drain, VGS @-4.5V :-2,2 A

Pulsés Égoutter actuelle? :-22 A

Dissipation de puissance :1,3 W

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HEXFET MOSFET de puissance T

♦ Ultra faible résistance

♦ P-MOSFET canal

♦ SOT-23 Empreinte

♦ Low Profile (<1.1mm)

♦ Disponible en bande et de bobine

♦ Changement rapide

Ces MOSFET canal P de International Rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour atteindre extrêmement faible onresistance par surface de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et la conception du dispositif robuste que HEXFET® MOSFET de puissance sont bien connus pour, fournit au concepteur d'un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans la batterie et à la gestion de la charge.

Une grande grille de connexion pad thermique renforcée a été incorporé dans le boîtier SOT-23 standard pour produire un transistor MOSFET de puissance de HEXFET avec le plus faible encombrement de l'industrie. Ce paquet, surnommé le Micro3 ™, est idéal pour les applications où l'espace imprimé de carte de circuit imprimé est à une prime. Le profil bas (<de 1.1mm) de la Micro3 lui permet de tenir facilement dans des environnements extrêmement minces d'application tels que les appareils électroniques portables et les cartes PCMCIA. La résistance thermique et la dissipation de puissance sont les meilleurs disponibles.

	Paramètre	Max.	Unités
V _DS	Drain Voltage Source	-20	V
I _D @ TA = 25 ° C	Courant continu de Drain, VGS @ -4.5V	-3.7	UNE
I _D @ TA = 70 ° C	Courant continu de Drain, VGS @ -4.5V	-2.2
I _DM	Pulsés Égoutter actuel	-22
P _D @TA = 25 ° C	Dissipation de puissance	1.3	W
P _D @TA = 70 ° C	Dissipation de puissance	0,8	W
	Linear Factor Déclassement	0,01	TOILETTES
E _AS	Impulsion unique Avalanche Energy	11	mJ
_VGS	Porte-à-Source Voltage	± 12	V

Mots clés du produit:

linear channel drain

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