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Transistor 625mW BC557A d'amplificateur de silicium de PNP

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China Transistor 625mW BC557A d'amplificateur de silicium de PNP wholesale
  • China Transistor 625mW BC557A d'amplificateur de silicium de PNP wholesale

Transistor 625mW BC557A d'amplificateur de silicium de PNP
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Brand Name :anterwell
Model Number :BC557A
Certification :new & original
Place of Origin :original factory
MOQ :10pcs
Price :negotiation
Payment Terms :T/T, Western Union, PayPal
Supply Ability :20000pcs
Delivery Time :1 day
Packaging Details :please contact me for details
feature 1 :Lead Free Finish/RoHS Compliant
feature 2 :150°C Junction Temperature
feature 3 :Through Hole Package
feature 4 :Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
feature 5 :Moisure Sensitivity Level 1
Marking :Type Number
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Caractéristiques

 

•? Finition sans plomb/RoHS conforme (le suffixe de « P » indique

  RoHS conforme. Voir l'information de commande)

•? la température de jonction de 150o C

• Par le paquet de trou

• L'époxyde rencontre l'estimation de l'inflammabilité V-0 de l'UL 94

• Niveau 1 de sensibilité de Moisure

• Inscription : Type nombre

 

 

Données mécaniques

 

? • Cas : TO-92, plastique moulé

• Polarité : indiqué en tant que ci-dessous.

 

 

Estimations maximum @ 25o C sauf indication contraire

 

Charateristic Symbole Valeur Unité

Tension de collecteur-émetteur           BC556

   BC557

BC558

 VCEO

-65

-45

-30

 V

Tension de collecteur-base              Because556

 BC557

BC558

 VCBO

-80

-50

-30

 V
Tension d'Émetteur-base VEBO -5,0 V
Courant de collecteur (C.C) IC -100 mA
Puissance Dissipation@TA =25°C Palladium

625

5,0

mW

mW/°C
Puissance Dissipation@TC =25°C Palladium

1,5

12

mW

mW/°C
Résistance thermique, jonction à l'air ambiant R JA 200 °C/W
Résistance thermique, jonction à enfermer R JC 83,3 °C/W
Opération et température de stockage Tj, TSTG -55~150 °C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Transistor 625mW BC557A d'amplificateur de silicium de PNP

Mots clés du produit:

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