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Anterwell Technology Ltd.

Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

Contact:MissSharon Yang

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Applications d'amplificateur d'étape de conducteur de puissance de transistor complémentaires à 2sc4793 A1837

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Numéro de type :A1837

Point d'origine :Originale

Quantité d'ordre minimum :20pcs

Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal

Capacité d'approvisionnement :5200PCS

Délai de livraison :jour 1

Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails

VCBO :-230 V

VCEO :−230 V

VEBO :−5 V

IC :−1 A

IB :−0.1 A

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Type épitaxial du silicium PNP de transistor de TOSHIBA

Applications d'amplificateur de puissance

Applications d'amplificateur d'étape de conducteur

• Haute fréquence de transition : pi = 70 mégahertz (type.)

• Complémentaire à 2SC4793

Note :

L'utilisation sans interruption sous des charges lourdes (par exemple l'application d'à hautes températures/de courant/de tension et de la modification importante dans la température, etc.) peut faire diminuer ce produit dans la fiabilité de manière significative même si les conditions de fonctionnement (c.-à-d. température de fonctionnement/courant/tension, etc.) sont dans les capacités absolues. Veuillez concevoir la fiabilité appropriée lors de passer en revue le manuel de fiabilité de semi-conducteur de Toshiba (concept et méthodes de /Derating « manipulant précautions ») et les différentes données de fiabilité (c.-à-d. rapport des essais de fiabilité et taux d'échec, etc. prévus).

Capacités absolues (comité technique = 25°C)

Caractéristiques	Symbole	Évaluation	Unité
Tension de collecteur-base	V_CBO	−230	V
Tension de collecteur-émetteur	V_PRÉSIDENT	−230	V
tension d'Émetteur-base	V_EBO	−5	V
Courant de collecteur	I_C	−1	A
Courant bas	I_B	-0,1	A
Dissipation de puissance de collecteur merci = 25°C Comité technique = 25°C	P_C	2,0	W
	P_C	20	W
La température de jonction	Tj	150	°C
Température ambiante de température de stockage	Tstg	−55 à 150	°C

Mots clés du produit:

pnp junction transistor

causes of driver fatigue

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