MIC4426/4427/4428
Double conducteur de transistor MOSFET du Bas-Side 1.5A-Peak
Description générale
La famille MIC4426/4427/4428 sont de doubles conducteurs haut-fiables de transistor MOSFET de lowside fabriqués sur un processus de BiCMOS/DMOS pour la consommation de puissance faible et le rendement élevé. Ces conducteurs des niveaux de logique traduisent de TTL ou de CMOS entrée pour produire les niveaux de tension qui balancent dans 25mV de l'approvisionnement ou de la terre positif. Les éléments bipolaires comparables sont capables de l'oscillation seulement à dans 1V de l'approvisionnement. Le MIC4426/7/8 est disponible dans trois configurations : double inverser, double noninverting, et on inversant plus une sortie noninverting. Les MIC4426/4427/4428 sont les remplacements goupille-compatibles pour le MIC426/427/428 et le MIC1426/1427/1428 avec la représentation électrique améliorée et la conception rocailleuse (référez-vous aux listes de rechange de dispositif à la page suivante). Ils peuvent résister jusqu'à 500mA du courant inverse (l'un ou l'autre de polarité) sans se verrouiller et jusqu'aux transitoires de bruit 5V (l'un ou l'autre de polarité) sur les goupilles moulues.
Principalement destiné aux transistors MOSFET de puissance d'entraînement, les conducteurs MIC4426/7/8 conviennent à conduire d'autres charges (capacitif, résistif, ou inductif) qui ont besoin de la bas-impédance, le courant de pointe élevée, et le temps rapide de commutation. D'autres applications incluent conduire les lignes fortement chargées d'horloge, les câbles coaxiaux de liaison, ou les transducteurs piézoélectriques. La seule limitation de charge est que la dissipation de puissance de conducteur de total ne doit pas dépasser les limites du paquet.
Caractéristiques
• Construction de Bipolar/CMOS/DMOS
• Protection de verrou- au courant inverse de >500mA
• courant de sortie 1.5A-peak
• 4.5V à la plage de fonctionnement 18V
• Bas courant tranquille d'approvisionnement
4mA à la logique 1 entrée
400µA à la logique 0 entrée
• Commute 1000pF dans 25ns
• Temps assortis de hausse et de rall
• impédance de la sortie 7Ω
• < 40ns="" typical="" delay="">
• indépendant de seuil de Logique-entrée de tension d'alimentation
• protection de Logique-entrée – à 5V
• capacité équivalente typique de l'entrée 6pF
• compensation maximale de la sortie 25mV d'approvisionnement ou de terre
• Remplace MIC426/427/428 et MIC1426/1427/1428
• Double inverser, double noninverting, et inverser des configurations noninverting
• Protection d'ESD
Applications
• Conducteur de transistor MOSFET
• Module de commande de ligne horloge
• Conducteur de câble coaxial
• Conducteur de transducteur de Piezoelectic
Diagramme fonctionnel
Brochage
Description de Pin
| Numéro de borne |
Nom de Pin |
Fonction de Pin |
| 1,8 |
OR |
pas intérieurement relié |
| 2 |
INA |
Entrée de contrôle A : Entrée compatible de logique de TTL/CMOS. |
| 3 |
LA terre |
La terre |
| 4 |
INB |
Entrée de contrôle B : Entrée compatible de logique de TTL/CMOS. |
| 5 |
OUTB |
Sortie B : Sortie de mât totémique de CMOS. |
| 6 |
VS |
Approvisionnement entré : +4.5V à +18V |
| 7 |
OUTA |
Produisez A : Sortie de mât totémique de CMOS. |
Capacités absolues (note 1)
Tension d'alimentation (VS) .................................................... +22V
Tension d'entrée (VDEDANS) ......................... VS + 0.3V à la terre – 5V
La température de jonction (TJ) ........................................ 150°C
Température de stockage ............................... – 65°C à +150°C
La température d'avance (sec 10.) ...................................... 300°C
Estimation d'ESD, note 3
Estimations fonctionnantes (note 2)
Tension d'alimentation (VS) ..................................... +4.5V à +18V
Température ambiante (TA)
(a) ........................................................ – 55°C à +125°C
(b) .......................................................... – 40°C à +85°C
Résistance thermique de paquet
ΘJA ............................................................ 130°C/W de PDIP
ΘJC ............................................................. 42°C/W de PDIP
ΘJA ........................................................... 120°C/W de SOIC
ΘJC ............................................................. 75°C/W de SOIC
ΘJC ......................................................... 250°C/W de MSOP
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