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Transistors de puissance sensibles de silicium de transistor de transistor MOSFET de puissance de la porte BT139-800E de triacs

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MissSharon Yang
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Transistors de puissance sensibles de silicium de transistor de transistor MOSFET de puissance de la porte BT139-800E de triacs

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Numéro de type :BT139-800E
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :4000pcs
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :24000PCS
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Tensions hors état maximales répétitives :800 V
Courant de sur-état de RMS :16A
Courant maximal non répétitif de sur-état :140 A
Courant maximal de porte :2A
Tension maximale de porte :5V
Puissance maximale de porte :5 W
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DESCRIPTION GÉNÉRALE

 

Verre passivé, porte sensible

triacs sous enveloppe en plastique, prévue

pour l'usage dans l'usage universel

commutation et phase bidirectionnelles

commandez les applications, où haute

la sensibilité est exigée dans chacun des quatre

quarts de cercle.

 

DONNÉES DE RÉFÉRENCE RAPIDE

 

SYMBOLE   MAXIMUM. MAXIMUM. MAXIMUM. UNITÉ
  BT139-  500E 600E 800E  
VDRM

 Hors état maximal répétitif

 tensions

500 600 800 V
IT(RMS)  Courant de sur-état de RMS 16 16 16 A
ITSM

 Sur-état maximal non répétitif

 actuel

140 140 140 A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

GOUPILLER - SYMBOLE DE BROCHAGE DE TO220AB

                   

PIN DESCRIPTION
1 terminal principal 1
2 terminal principal 2
3 porte
étiquette terminal principal 2

Transistors de puissance sensibles de silicium de transistor de transistor MOSFET de puissance de la porte BT139-800E de triacsTransistors de puissance sensibles de silicium de transistor de transistor MOSFET de puissance de la porte BT139-800E de triacs

 

 

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