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Anterwell Technology Ltd.

Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

Contact:MissSharon Yang

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GaAs Ired et photo - transistor, contrôleur programmable TLP504A-2

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Numéro de type :TLP504A-2

Point d'origine :Usine originale

Quantité d'ordre minimum :10pcs

Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal

Capacité d'approvisionnement :4800pcs

Délai de livraison :jour 1

Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails

L'impulsion expédient le courant :1 (100μs impulsion, 100pps) A

Tension inverse :5 V

La température de jonction :°C 125

Tension de Collector−Emitter :55 V

Tension d'Emitter−collector :7 V

Courant de collecteur :50 mA

Température ambiante de température de stockage :°C −55~150

Chaîne de température de fonctionnement :°C −55~100

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Photocoupleur GaAs Ired et Photo−Transistor de TOSHIBA

TLP504A, TLP504A−2

C.A. de contrôleurs programmables/relais à semi-conducteur module de DC−Input

TOSHIBA TLP504A et TLP504A−2 se compose d'un photo−transistor optiquement couplé à une diode émetteuse d'infrarouge d'arséniure de gallium.

Les offres deux de TLP504A ont isolé des canaux dans un paquet en plastique d'IMMERSION de huit avances, alors que le TLP504A−2 fournit quatre canaux d'isolement dans un paquet d'IMMERSION de seize plastiques.

• Tension de Collector−emitter : 55 V (minimaux)

• Rapport de transfert courant : grade gigaoctet de 50% (mn) : 100% (mn)

• Tension d'isolement : 2500 Vrms (minimal)

• UL identifiée : UL1577,

Dossier non E67349

Brochages (Vue supérieure)

Capacités absolues (merci = 25°C)

Caractéristique		Symbole	Évaluation		Unité
Caractéristique		Symbole	TLP504A	TLP504A−2	Unité
LED	Courant en avant	I_F	60	50	mA
	Courant en avant sous-sollicitant	ΔI_F/°C	−0.7 (merci ≥ 39°C)	−0.5 (merci ≥ 25°C)	mA/°C
	L'impulsion expédient le courant	I_{POINT DE GEL}	1 (100μs impulsion, 100pps)		A
	Tension inverse	V_R	5		V
	La température de jonction	T_j	125		°C
Détecteur	Tension de Collector−emitter	V_PRÉSIDENT	55		V
	Tension d'Emitter−collector	V_ECO	7		V
	Courant de collecteur	I_C	50		mA
	Dissipation de puissance de collecteur (1 circuit)	P_C	150	100	mW
	Sous-sollicitation de dissipation de puissance de collecteur (1 de circuit ≥ merci 25°C)	ΔP_C/°C	-1,5	-1,0	mW/°C
	La température de jonction	T_j	125		°C
Température ambiante de température de stockage		_Stgde T	−55~150		°C
Gamme de température de fonctionnement		_Oprde T	−55~100		°C
La température de soudure d'avance		_{Solénoïdede} T	260 (10 s)		°C
Dissipation de puissance totale de paquet		R_T	250	150	mW
Sous-sollicitation totale de dissipation de puissance de paquet (Merci ≥ 25°C)		ΔP_T/°C	-2,5	-1,5	mW/°C
Tension d'isolement		LA BV_S	2500 (C.A., 1min., R.H.≤ 60%) (Note 1)		Vrms

Note : L'utilisation sans interruption sous des charges lourdes (par exemple l'application d'à hautes températures/de courant/de tension et de la modification importante dans la température, etc.) peut faire diminuer ce produit dans la fiabilité de manière significative même si les conditions de fonctionnement (c.-à-d. température de fonctionnement/courant/tension, etc.) sont dans les capacités absolues.

Veuillez concevoir la fiabilité appropriée lors de passer en revue le manuel de fiabilité de semi-conducteur de Toshiba (« manipulant » de précautions/« sous-sollicitant le concept et les méthodes ") et les différentes données de fiabilité (c.-à-d. rapport des essais de fiabilité et taux d'échec, etc. prévus).

Note 1 : Le dispositif a considéré des deux terminal : La LED dégrossissent des goupilles a court-circuité ensemble et les goupilles latérales de détecteur ont court-circuité ensemble.

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