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Nouveaux et originaux transistors de puissance du silicium PNP, paquet 2SB861 de TO-220C

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Province / État:guangdong
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China Nouveaux et originaux transistors de puissance du silicium PNP, paquet 2SB861 de TO-220C wholesale
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Nouveaux et originaux transistors de puissance du silicium PNP, paquet 2SB861 de TO-220C
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Numéro de type :2SB861
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :20pcs
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :9000pcs
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Tension de collecteur-base :-200 V
Tension de collecteur-émetteur :-150 V
tension d'Émetteur-base :-6 V
Courant de collecteur :-2 A
Actuel-crête de collecteur :-5 A
La température de jonction :150 ℃
La température de stockage :-45 ~ 150 ℃
Paquet :Paquet de TO-220C
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Silicium PNP Puissance Transistors 2SB861

LA DESCRIPTION

· Avec le paquet TO-220C

· Complement taper 2SD1138

APPLICATIONS

· Sortie de déviation verticale basse fréquence amplificateur de puissance TV couleur

PINNING

ÉPINGLE LA DESCRIPTION
1 Emitter
2

Collecteur, relié à

base de montage

3 Base

Les maxima absolus (Ta = 25 ℃)

SYMBOLE PARAMÈTRE CONDITIONS VALEUR UNITÉ
V CBO tension collecteur-base Ouvrir émetteur -200 V
V CEO tension collecteur-émetteur Base ouverte -150 V
V EBO tension émetteur-base collecteur ouvert -6 V
I C Courant de collecteur -2 UNE
I CP Collecteur de courant de pointe -5 UNE
P C Collector dissipation de puissance T a = 25 ℃ 1.8 W
T C = 25 ℃ 30
T j Température de jonction 150 ℃
T stg Température de stockage -45 ~ 150 ℃

FORFAIT CONTOUR

dimensions Fig.2 Outline (tolérance unindicated: ± 0,10 mm)

Mots clés du produit:

pnp junction transistor

pnp transistor pins

difference between npn pnp
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