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Anterwell Technology Ltd.

Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

Contact:MissSharon Yang

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Les transistors de puissance de silicium du transistor MOSFET IRF740PBF de puissance choisissent la configuration

Demander le dernier prix

Numéro de type :IRF740PBF

Point d'origine :Usine originale

Quantité d'ordre minimum :10pcs

Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal

Capacité d'approvisionnement :300PCS

Délai de livraison :jour 1

Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails

VDS (v) :400

Le RDS (dessus) (Ω) :VGS = 10 V ; 0,55

Qg (maximum) (OR) :9,0

Qgd (OR) :32

Configuration :Single

Paquet :À 220

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CARACTÉRISTIQUES

• Estimation dynamique de dV/dt

• Avalanche répétitive évaluée

• Commutation rapide

• Facilité de la parallélisation

• Conditions simples d'entraînement

• Menez (Pb) disponible sans

DESCRIPTION

Les transistors MOSFET de puissance de troisième génération de Vishay fournissent

concepteur avec la meilleure combinaison de la commutation rapide,

conception robuste de dispositif, basse sur-résistance et

rentabilité.

Le paquet TO-220 est universellement préféré pour tous

applications commercial-industrielles à la dissipation de puissance

niveaux approximativement à 50 W. La basse résistance thermique

et le bas coût de paquet du TO-220 contribuent à son large

acceptation dans toute l'industrie.

°C TYPIQUE des CARACTÉRISTIQUES 25, sauf indication contraire

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