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Transistor de transistor MOSFET de puissance

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Anterwell Technology Ltd.

Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

Contact:MissSharon Yang

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Transistors complémentaires de Darlington de puissance de silicium de transistor de transistor MOSFET de la puissance Tip122

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Numéro de type :TIP122

Point d'origine :Usine originale

Quantité d'ordre minimum :20pcs

Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal

Capacité d'approvisionnement :6800PCS

Délai de livraison :jour 1

Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails

tension d'Émetteur-base :5 V

Courant de collecteur :5 A

Courant de pointe de collecteur :8 A

Courant bas :0,1 A

La température de stockage :℃ -65 à 150

La température de jonction de Max. Operating :℃ 150

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TIP120/121/122

TIP125/126/127

TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLINGTON DE SILICIUM

■ SALESTYPES PRÉFÉRÉ par STMicroelectronics

DESCRIPTION

Les TIP120, les TIP121 et les TIP122 sont des transistors de puissance de l'Épitaxial-base NPN de silicium dans la configuration monolithique de Darlington montée en paquet de plastique de Jedec TO-220. Ils intented pour l'usage dans la puissance linéaire et les applications de commutation. Les types complémentaires de PNP sont TIP125, TIP126 et TIP127, respectivement.

CAPACITÉS ABSOLUES

Symbole	Paramètre		Valeur			Unité
		NPN	TIP120	TIP121	TIP122
		PNP	TIP125	TIP126	TIP127
V_CBO	Tension de collecteur-base (C.-À-D. = 0)		60	80	100	V
V_PRÉSIDENT	Tension de collecteur-émetteur (I_B = 0)		60	80	100	V
V_EBO	SCHÉMA DE PRINCIPE INTERNE (I_C = 0)		5			V
I_C	Courant de collecteur		5			A
I_CM	Courant de pointe de collecteur		8			A
I_B	Courant bas		0,1			A
_Doigtde P	Dissipation totale au ℃ du ≤ 25 de Tcase ℃ du ≤ 25 de Tamb		65 2			W
_Stgde T	Température de stockage		-65 à 150			℃
T_j	La température de jonction de Max. Operating		150			℃