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TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL du transistor PNP de Pin BD140 3

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MissSharon Yang
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TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL du transistor PNP de Pin BD140 3

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Numéro de type :BD140
Point d'origine :Originale
Quantité d'ordre minimum :20pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :5200PCS
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
VCBO :-100 V
VCEO :VCEO -80 V
VEBO :-5 V
IC :-1,5 A
IB :-0,5 A
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APPLICATION D'USAGE UNIVERSEL.

CARACTÉRISTIQUES

·À forte intensité. (Maximum : -1.5A)

·Gain actuel de C.C : hFE=40Min. @IC=-0.15A

·Complémentaire à BD139.

 

ESTIMATION MAXIMUM (Ta=25℃)

CARACTÉRISTIQUE SYMBOLE   ÉVALUATION   UNITÉ
Tension de collecteur-base  VCBO  -100  V
Tension de collecteur-émetteur  VPRÉSIDENT   -80  V
Tension d'Émetteur-base  VEBO   -5  V
Courant de collecteur IC -1,5  A
Courant bas IB -0,5   A

 

TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL du transistor PNP de Pin BD140 3

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