Redresseurs montés par avance à forte intensité de transistor de transistor MOSFET de la puissance MR756

Redresseurs montés par avance à forte intensité

Caractéristiques

• Capacité actuelle comparable aux redresseurs montés par châssis

• Capacité très élevée de montée subite

• Caisse isolée

• Les paquets de Pb−Free sont des caractéristiques mécaniques d'Available* :

• Cas : Époxyde, moulé

• Poids : 2,5 grammes (approximativement)

• Finition : Toutes les surfaces externes anticorrosion et avance terminale est aisément Solderable

• La température d'avance pour le soudure : maximum 260°C pendant 10 secondes

• Polarité : Bande de polarité de cathode

MR7 = code de dispositif

xx = 50, 51, 52, 54, 56 ou 60

    = paquet de Pb−Free

(Note : Le micropoint peut être dans l'un ou l'autre d'emplacement)

      L'INFORMATION DE COMMANDE

See a détaillé l'information de commande et de expédition dans la section de dimensions de paquet à la page 6 de cette fiche technique.

  Pour une entrée d'onde rectangulaire de VM d'amplitude, le facteur de rendement devient :

   (Le circuit double alternance d'A a deux fois ces efficacités)

   À mesure que la fréquence du signal d'entrée est augmentée, le temps de rétablissement inverse de la diode (le schéma 10) devient significatif, ayant pour résultat un composant croissant de tension CA À travers RL qui est opposé dans la polarité au courant en avant, réduisant de ce fait la valeur du σ de facteur de rendement, comme montré sur le schéma 9.

   Il devrait souligner que le schéma 9 montre l'efficacité de forme d'onde seulement ; il ne fournit pas une mesure de pertes de diode. Des données ont été obtenues en mesurant le composant à C.A. de la Vo avec véritable voltmètre CA de RMS et le composant de C.C avec un voltmètre de C.C. Les données ont été employées dans l'équation 1 pour obtenir des points pour le schéma 9.