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Circuit intégré monolithique de silicium de puce de circuit intégré de BD9897FS

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Circuit intégré monolithique de silicium de puce de circuit intégré de BD9897FS

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Numéro de type :BD9897FS
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :10pcs
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :4800pcs
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Tension d'alimentation :36 V
Différence de tension de BST-SW :7 V
Chaîne de température de fonctionnement :-40~+85 ℃
Température ambiante de température de stockage :-55~+150 ℃
La température de jonction maximum :℃ +150
Dissipation de puissance :950 mW
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Circuit intégré monolithique de silicium de STRUCTURE

 

NOM de contrôle IC d'inverseur du PRODUIT DC-AC

 

DACTYLOGRAPHIEZ BD9897FS

 

Processus de haute tension du ・ 36V de FONCTION

                            contrôle du ・ 1ch avec le Plein-pont

                            Le courant de lampe de ・ et le sens de tension rétroagissent le contrôle

                            ・ Ordonnançant facilement réalisé avec le contrôle mou de début

                            Protection de court-circuit de ・ avec le verrou de minuterie

                            Le ・ sous la tension ferment à clef

                            ・ Mode-sélectionnable l'opération ou support-par le mode par support-par la goupille

                            ・ Synchrone opération l'autre le BD9897FS IC

                            Mode continu de ・ commandé par l'entrée de PWM et de C.C

                            Le ・ a produit le contrôle de revêtement par tension CC Externe

 

 

Capacités absolues (merci = 25℃)

Paramètre Symbole Limites Unité
Tension d'alimentation VCC 36 V
Goupille de déclaration provisoire Déclaration provisoire 40 V
Goupille de commutateur Commutateur 36 V
Différence de tension de BST-SW BST-SW 7 V
Chaîne de température de fonctionnement Topr -40~+85
Température ambiante de température de stockage Tstg -55~+150
La température de jonction maximum Tjmax +150
Dissipation de puissance Palladium 950* mW

* le palladium sous-sollicitent à 7.6mW/℃ pour la température au-dessus des ventres = de 25℃ (une fois montés sur une carte PCB 70.0mm×70.0mm×1.6mm)

 

 

Dimensions de paquet

Circuit intégré monolithique de silicium de puce de circuit intégré de BD9897FS

 

Schéma fonctionnel

Circuit intégré monolithique de silicium de puce de circuit intégré de BD9897FS

 

 

 

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