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Accueil / produits / 3 Pin Transistor / Module 600V, arrêt de champ 60A IGBT de transistor MOSFET de puissance de FGH60N60SFD /

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Module 600V, arrêt de champ 60A IGBT de transistor MOSFET de puissance de FGH60N60SFD
Module 600V, arrêt de champ 60A IGBT de transistor MOSFET de puissance de FGH60N60SFD
  • Module 600V, arrêt de champ 60A IGBT de transistor MOSFET de puissance de FGH60N60SFD
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FGH60N60SFD 600V, arrêt de champ 60A IGBT Caractéristiques • Capacité à forte intensité • Basse tension de saturation : VCE (reposé) =2.3V @ IC = 60A ...
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igbt saturation voltage igbt induction heating igbt switching loss

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