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Planaire épitaxial du bâti SI de surface de puces de carte des transistors BCP55

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Planaire épitaxial du bâti SI de surface de puces de carte des transistors BCP55

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Numéro de type :BCP55
Point d'origine :Originale
Quantité d'ordre minimum :5 pièces
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :10000pcs/day
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :contactez-nous pour plus de détails
Dissipation de puissance :1,3 W
Affaire en plastique :SOT-223
tension :30V
Caractéristiques :La matière plastique a la classification d'UL
Poids approximativement :0,04 g
Type :Transistors
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Planaire SI-épitaxial de bâti de surface des transistors BCP55

 

Dissipation de puissance – Verlustleistung 1,3 W
Boîtier en plastique SOT-223
Kunststoffgehäuse
Poids approximativement – Gewicht CA 0,04 g
La matière plastique a la classification 94V-0 d'UL
Klassifiziert de Gehäusematerial UL94V-0
Emballage standard attaché du ruban adhésif et tournoyé
Forces d'appoint standard Rolle de gegurtet de Lieferform
 
Résistance thermique – Wärmewiderstand
jonction à l'air ambiant – umgebender Luft de zu de Sperrschicht
jonction au point de soudure – zu Lötpad de Sperrschicht
Transistors complémentaires recommandés de PNP
Komplementäre PNP-Transistoren d'Empfohlene
 
  BCP 54 BCP 55 BCP 56
BCP 54
VCE0
45 V
60 V
80 V

Collecteur-Émetteur-tension B ouverte

VCB0
45 V 60 V 100 V

Collecteur-Base-tension E ouverte

VEB0
5V
Émetteur-Base-tension C ouverte
Ptot
1.3W

 

Planaire épitaxial du bâti SI de surface de puces de carte des transistors BCP55

Planaire épitaxial du bâti SI de surface de puces de carte des transistors BCP55

 

 

 

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