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Haute goupille latérale de la prise 3 de transistor de commutateur de transistor MOSFET de la puissance IPS521 entièrement protégée

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Haute goupille latérale de la prise 3 de transistor de commutateur de transistor MOSFET de la puissance IPS521 entièrement protégée

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Numéro de type :IPS521
Point d'origine :Originale
Quantité d'ordre minimum :20pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :5200PCS
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Tension de production maximum :Vcc-50 Vcc+0.3 V
Au sol maximum de logique pour charger la compensation de la terre :Vcc-50 Vcc+0.3 V
Tension d'entrée maximum :-0,3 /7 V
Positif maximum DANS le courant :-5/ 10 mA
Tension diagnostique maximum de sortie :-0.3/ 7 V
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Haute goupille latérale de la prise 3 de transistor de commutateur de transistor MOSFET de la puissance IPS521 entièrement protégéeCaractéristiques

• Au-dessus de la protection de la température (avec le redémarrage automatique)

• Protection de court-circuit (limite actuelle)

• Bride active • Protection d'E.S.D

• Retour de statut

• Ouvrez la détection de charge

• Au sol de logique d'isolement dans la fiche technique moulue de la puissance IPS521/IPS521S No.PD 60158-H

 

Description

Les IPS521/IPS521S sont entièrement protégés cinq commutateurs latéraux élevés terminaux avec construit dans le court-circuit, la température excessive, la protection d'ESD, la capacité de charge inductive et le retour diagnostique. Le courant de sortie est commandé quand il atteint la valeur d'Ilim. La limitation actuelle est activée jusqu'à ce que la protection thermique agisse. La protection de surchauffe arrête le commutateur latéral élevé si la température de jonction dépasse Tshutdown. Elle remettra en marche automatiquement après que la jonction ait refroidi 7o C au-dessous de Tshutdown. Une goupille diagnostique est donnée pour le retour de statut du court-circuit, de la température excessive et de la détection ouverte de charge. Les doubles circuits de niveau d'embrayage accordent de grandes compensations entre l'au sol de logique et l'au sol de charge.

 

Conditions de fonctionnement recommandées

Ces valeurs sont indiquées pour une conception rapide.

Pour l'opération en dehors de ces conditions, consultez svp les notes d'application

Symbole  Paramètre de symbole   Minimal.  Maximum.  Unités
Vcc  Tension Vcc continue  5,5 35 V
VIH  Tension d'entrée de haut niveau 5,5
VIL Tension d'entrée de bas niveau -0,3  0,9
Iout

Courant de sortie continu

(Tamb = 85oC, Tj = 125oC, Rth = 60oC/W,) IPS521

—  2,2 A
Iout

Courant de sortie continu

(Tamb = 85oC, Tj = 125oC, Rth = 80oC/W,) IPS521S

—  1,9
Rin Résistance recommandée en série avec DANS la goupille 6 kΩ
Rdg Résistance recommandée en série avec la goupille de dg 10  20

 

Tâches d'avance

Haute goupille latérale de la prise 3 de transistor de commutateur de transistor MOSFET de la puissance IPS521 entièrement protégée

 

Haute goupille latérale de la prise 3 de transistor de commutateur de transistor MOSFET de la puissance IPS521 entièrement protégée

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