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Transistor MOSFET de puissance de transistor de BSS84LT1G composants électroniques de fournisseur de 130 mA, de 50 V Chine nouveaux et originaux

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Transistor MOSFET de puissance de transistor de BSS84LT1G composants électroniques de fournisseur de 130 mA, de 50 V Chine nouveaux et originaux

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Numéro de type :BSS84LT1G
Point d'origine :Originale
Quantité d'ordre minimum :5 pièces
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :10000pcs/day
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :contactez-nous pour plus de détails
tension :20 V
Caractéristiques :de rendement optimum
Description :Le paquet miniature de bâti de la surface SOT−23 ménage de l'espace de conseil
température :°C 25
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Type :transistor
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Transistor MOSFET de puissance de transistor de BSS84LT1G

         

Ces transistors MOSFET extérieurs miniatures de bâti réduisent la perte de puissance
conservez l'énergie, faisant cet idéal de dispositif pour l'usage dans la petite puissance
circuits de gestion. Les applications typiques sont des convertisseurs de DC−DC,
chargez la commutation, actionnez la gestion dans portatif et battery−powered
produits tels que les téléphones d'ordinateurs, d'imprimantes, cellulaires et sans fil.
 
Caractéristiques
130 mA, 50 V R
DS (dessus) = 10W
P−Channel 3
De rendement optimum
Le paquet miniature de bâti de la surface SOT−23 ménage de l'espace de conseil
Le paquet de Pb−Free est disponible
 
Évaluation
Symbole Valeur Unité
Tension de Drain−to−Source
VDSS 50 Volts continu
− de tension de Gate−to−Source continu VGS 20 Volts continu
Vidangez le − actuel @ TA= continu 25°C
Le − a palpité le courant de drain (tp≤10ms)
IDM 130 mA
Dissipation de puissance totale @ TA= 25°C Palladium 225 mW
Opération et température de stockage
Gamme
TJTstg 50 °C
− Junction−to−Ambient de résistance thermique RqJA 556 °C
La température maximum d'avance pour la soudure
Buts, pendant 10 secondes
TL 260 °C

 

Les estimations maximum sont ces valeurs au delà dont les dommages de dispositif peuvent se produire.
Les estimations maximum appliquées au dispositif sont différentes valeurs limites d'effort (pas
le fonctionnement normal) et est invalide simultanément. Si ces limites
sont dépassés, dispositif l'opération que fonctionnelle n'est pas impliquée, dommages peut se produire
et la fiabilité peut être affectée.

Transistor MOSFET de puissance de transistor de BSS84LT1G composants électroniques de fournisseur de 130 mA, de 50 V Chine nouveaux et originaux

 

ACTIONS D'IC

PartNo Desc C.C
EPF6024ABC256-3 BGA 11+
EPM1270F256C5N BGA 12+
EPM570F256C5N BGA 11+
EP20K160EFC484-3 BGA 11+
AM29DL164DB-90WCI BGA 12+
AM29DL800BT90WBI BGA 12+
AM29LV160DB-120WCIS BGA 11+
AM29LV640DU-90RWHI BGA 12+
AM29LV800BB-90WBI BGA 11+
AM42BDS6408GB88I ES BGA 11+
AM50DL128BH70IT BGA 12+
AMD-761AC1 BGA 12+
LP62S16128BU-70LLI BGA 11+
LP62S16256EU-55LLI/Q BGA 12+
AD6532XBC BGA 11+
BD2425N50100A00 BGA 11+
AR2001 BGA 12+
AT91SAM9260CU BGA 12+
AR2312A-01 BGA 11+
AR5212A-00 BGA 12+
AR5513A-00 BGA 11+
AT89SND1CDVU-7HRIL BGA 11+
AT91FR40162SB-CU BGA 12+
AT91FR4042-CI BGA 12+
AT91RM9200-CJ-002 BGA 11+
AES1610-C-DF-TR-NI00 BGA 12+
ACPF-7002-TR1 BGA 11+
BCM5464RA1KFB P11 BGA 11+
BCM6345KPB P10 BGA 12+
MSB-120B BGA 12+
MSP2006-CA-A2 BGA 11+
MSP2007-CA-A1 BGA 12+
MSP2007-CA-A2 BGA 11+
BCM3348KPB BGA 11+
BCM4318KFBG BGA 12+
BCM6314IPBG BGA 12+
BCM6348KPBG BGA 11+
BCM7402PKPB3 BGA 12+
BCM7438ZKPB17G910 BGA 11+
CSPEMI307A BGA 11+
CP2296GITLX BGA 12+
EP7312-CR BGA 12+
CX82310-14 BGA 11+
GS7966-424-116BBZ BGA 12+
P5200-11 BGA 11+
R7178-24 BGA 11+
MFC2000 BGA 12+
CL761A BGA 12+
CL8237S4 BGA 11+
BC215159AU BGA 12+
BC313143A03 BGA 11+
RT1300B6TR BGA 11+
CY7C1345F-100BGC BGA 12+
CY37064VP48-100BAC BGA 12+
CY62137BV18LL-70BAI BGA 11+
CY62138CV30LL-70BAI BGA 12+
CY62147CV18LL-70BAI BGA 11+
CY62148CV30LL-70BAI BGA 11+
CY62157CV18LL-70BAI BGA 12+
CY7C1304V25-100BZC BGA 12+
CY7C1304V25-167BZC BGA 11+
CY7C67200-48BAI BGA 12+
DS1849 BGA 11+
DS1856B-050 BGA 11+
DS32KHZ/WBGA BGA 12+
DS3610 BGA 12+
E1108ACBG-8E-E BGA 11+
E5104AE-5C-E BGA 12+
E5108AGBG-5C-E BGA 11+
E5108AJBG-8E-E BGA 11+
EDE2516ABSE-6E-E BGA 12+
EDE5108AJBG-8E-E BGA 12+
EDE5116AJBG-6E-E BGA 11+
EDE5116AJBG-8E-E BGA 12+
EXS1232AASE-XR-E BGA 11+
ER4525 BGA 11+
OM6388EL BGA 12+
EN29LV400AB-70BI BGA 12+
ESD0505-M0500091 BGA 11+
D137120C2 BGA 12+
RF1011R1A BGA 11+
VP22279A BGA 11+
     
PartNo Desc C.C
M12L128324-6BG BGA 12+
FSA4157L6X BGA 12+
JTS10U-10F144I BGA 11+
MC13890VH BGA 12+
MPC562MZP56R2 BGA 11+
MPC8245TZU266D BGA 11+
MPC850DSLVR50BU BGA 12+
MPC870CZT66 BGA 12+
FSUSB31L8X BGA 11+
FSUSB46L8X BGA 12+
MB86397PBS-ME1 BGA 11+
MB93401A BGA 11+
MB84VF5F5F5L2-70PBS-NJ BGA 12+
MBM29DL32TF-70 BGA 12+
MBM29LV160BE90PBT-ER BGA 11+
MBM29LV800BE90PBT BGA 12+
GT-48310A-B-2 BGA 11+
GS71108AV-X12 BGA 11+
HDL4F42ANW710-00 BGA 12+
HDL4F42DNW701-00 BGA 12+
MD160B21USL BGA 11+
HY5DU283222AF-2 BGA 12+
HY5DU283222BF-33 BGA 11+
HY5PS121621BFP-25 BGA 11+
HY5PS12821BFP-C4 BGA 12+
HY5PS561621AFP-25 BGA 12+
HY5V26CLF-H BGA 11+
H5PS5162FFR-Y5C BGA 12+
HY23DF1GAM-DPI BGA 11+
HY5DU283222-AF-28 BGA 11+
HY5DU283222AF-33 BGA 12+
HY5DU283222BF-28 BGA 12+
HY5PS121621CFP-Y5 BGA 11+
HY5PS1G1631CFP-Y5 BGA 12+
HY5PS561621BFP-25 BGA 11+
HY5RS123235BFP-14 BGA 11+
HY5RS573225F-2 BGA 12+
ISL24006IRZ BGA 12+
ISL58812CRZ BGA 11+
ICS83840AH BGA 12+
ICS83840BH BGA 11+
ICS95V860AH BGA 11+
ICS9LPR397DKLFT BGA 12+
ICS9LPRS488CKLFT BGA 12+
SSTV32864AH BGA 11+
uf32864chlf bga 12+
IDT70V3569S5BF BGA 11+
IDT71V35761S200BG BGA 11+
FXS40IF1-00-A8-QEO-L BGA 12+
FXS41BM1-00-A0-LB0-L BGA 12+
TML212H-FX-S-00-QE0-L BGA 11+
TML400B-FX-S-00-LBO-L BGA 12+
HYB25D128323C-3.0 BGA 11+
HYB39L256160AC-75 BGA 11+
M3021AA BGA 12+
PMB5701A1 BGA 12+
PMB7850E V3.1H BGA 11+

 

 

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