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SI2301CDS - T1 - transistors P de transistor MOSFET de la puissance E3 élevée - transistor MOSFET de la Manche 20-V (D-S)

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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China SI2301CDS - T1 - transistors P de transistor MOSFET de la puissance E3 élevée - transistor MOSFET de la Manche 20-V (D-S) wholesale
  • China SI2301CDS - T1 - transistors P de transistor MOSFET de la puissance E3 élevée - transistor MOSFET de la Manche 20-V (D-S) wholesale

SI2301CDS - T1 - transistors P de transistor MOSFET de la puissance E3 élevée - transistor MOSFET de la Manche 20-V (D-S)
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Numéro de type :SI2301CDS-T1-E3
Point d'origine :Philippines
Quantité d'ordre minimum :20
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :20000
Délai de livraison :1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
VDS :- 20 V
VGS :± 8 V
Identification :-3,1 A
DM :- 10 A
EST :-3,1 A
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SI2301CDS - T1 - transistors P de transistor MOSFET de la puissance E3 élevée - transistor MOSFET de la Manche 20-V (D-S)

Transistor MOSFET du P-canal 20-V (D-S)

CARACTÉRISTIQUES SI2301CDS - T1 - transistors P de transistor MOSFET de la puissance E3 élevée - transistor MOSFET de la Manche 20-V (D-S)

• option sans halogène disponible

• Transistor MOSFET de puissance de TrenchFET®

 

APPLICATIONS

• Commutateur de charge

 

RÉSUMÉ DE PRODUIT DE TRANSISTOR MOSFET
VDS (V)  RDS(dessus) (Ω) ID (A) a  Qg (type.)
- 20 0,112 à VGS = - 4,5 V - 3,1 3,3 OR
0,142 à VGS = - 2,5 V - 2,7

 

 

°C TYPIQUE des CARACTÉRISTIQUES 25, sauf indication contraire

SI2301CDS - T1 - transistors P de transistor MOSFET de la puissance E3 élevée - transistor MOSFET de la Manche 20-V (D-S)

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