Transistor de transistor MOSFET de puissance de la Manche de N, transistor à effet de champ de MOS 2SK3561

 
 
Transistor de transistor MOSFET de puissance de la Manche de N, transistor à effet de champ de MOS 2SK3561
 

Type de MOS de la Manche du silicium N de transistor à effet de champ de TOSHIBA (π-MOSVI)

2SK3561
 
Applications de régulateur de commutation
 
• Basse drain-source SUR la résistance : Le RDS (DESSUS) = 0.75Ω (type.)
• Accès de transfert en avant élevé : |Yfs| = 6.5S (type.)
• Bas courant de fuite : IDSS = μA 100 (VDS = 500 V)
• Mode d'amélioration : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, identifications = 1 mA)
 
Capacités absolues (merci = 25°C)

Note : L'utilisation sans interruption sous des charges lourdes (par exemple l'application d'à hautes températures/de courant/de tension et de la modification importante dans la température, etc.) peut faire diminuer ce produit dans la fiabilité de manière significative même si les conditions de fonctionnement (c.-à-d. température de fonctionnement/courant/tension, etc.) sont dans les capacités absolues. Veuillez concevoir la fiabilité appropriée lors de passer en revue le manuel de fiabilité de semi-conducteur de Toshiba (concept et méthodes de /Derating « manipulant précautions ») et les différentes données de fiabilité (c.-à-d. rapport des essais de fiabilité et taux d'échec, etc. prévus).
 
Caractéristiques thermiques

Note 1 : Assurez-vous que la température de canal ne dépasse pas 150℃.
Note 2 : VDD = 90 V, Tch = 25°C (initiale), L = 8,3 MH, IAR = 8 A, RG = 25 Ω
Note 3 : Estimation répétitive : durée d'impulsion limitée par la température maximum de canal
Ce transistor est un dispositif sensible électrostatique. Manipulez svp avec prudence.
 
  
                                                            Poids : 1,7 g (type.)
 
 
Offre courante (vente chaude)