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Anterwell Technology Ltd.

Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

Contact:MissSharon Yang

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ULN2003A programmant l'IC ébrèche la haute tension, rangées à forte intensité de transistor de Darlington

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Numéro de type :ULN2003A

Point d'origine :Philippines

Quantité d'ordre minimum :20

Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal

Capacité d'approvisionnement :20000

Délai de livraison :1

Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails

Tension de sortie :50 V

Tension d'entrée :30 V

Courant de collecteur - continu :500 mA

Courant bas - continu :25 mA

Température ambiante de température de stockage :°C -55 à +150

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ULN2003A programmant l'IC ébrèche la haute tension, rangées à forte intensité de transistor de Darlington

Les sept transistors reliés par Darlington de NPN dans ces rangées sont bien adaptés pour conduire des lampes, des relais, ou des marteaux d'imprimante dans un grand choix d'applications industrielles et du consommateur. Leur tension claque élevée et diodes internes de suppression assurent l'absence des problèmes liés aux charges inductives. Les courants maximaux d'irruption à 500 mA leur permettent de conduire les lampes à incandescence.

L'ULx2003A avec une résistance d'entrée de 2,7 séries de k est bien adapté pour des systèmes utilisant une logique de 5,0 V TTL ou de CMOS.

ESTIMATIONS MAXIMUM

(MERCI = 25°C, et estimation appliquent à n'importe quel un dispositif dans le paquet, sauf indication contraire.)

Évaluation	Symbole	Valeur	Unité
Tension de sortie	Vo	50	V
Tension d'entrée	VI	30	V
Courant de collecteur - continu	IC	500	mA
Courant bas - continu	IB	25	mA
Température ambiante de température ambiante fonctionnante ULN2003A ULQ2003A	MERCI	-20 à +85 -40 à +85	°C
Température ambiante de température de stockage	Tstg	-55 à +150	°C
La température de jonction	TJ	150	°C
Résistance thermique, Jonction-à-ambiante Cas 751B, suffixe de D	RJA	100	°C/W
Résistance thermique, Jonction-à-cas Cas 751B, suffixe de D	RJC	20	°C/W
Sensibilité de décharge électrostatique (ESD) Corps humain (HBM) modèle Modèle de machine (MM) Modèle chargé (CDM) de dispositif	ESD	2000 400 1500	V

COURBES de REPRÉSENTATION TYPIQUES - MERCI = 25°C

Mots clés du produit:

ULN2003A programmant l'IC ébrèche la haute tension, rangées à forte intensité de transistor de Darlington

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