Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Membre du site
10 Ans
Accueil / produits / Electronics Components /

Le transistor N de transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance faible d'AP4511GD ET LE MODE d'AMÉLIORATION de P-CANAL ACTIONNENT LE transistor MOSFET

Contacter
Anterwell Technology Ltd.
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MissSharon Yang
Contacter

Le transistor N de transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance faible d'AP4511GD ET LE MODE d'AMÉLIORATION de P-CANAL ACTIONNENT LE transistor MOSFET

Demander le dernier prix
Numéro de type :AP4511GD
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :10pcs
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :7800pcs
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Dissipation de puissance totale :2,0 W
Facteur de sous-sollicitation linéaire :0,016 W/℃
Température ambiante de température de stockage :℃ -55 à 150
Température ambiante fonctionnante de jonction :℃ -55 à 150
Résistance thermique maximum, Jonction-ambiante :62,5 ℃/W
Tension claque de Drain-source :35 V
more
Contacter

Add to Cart

Trouver des vidéos similaires
Voir la description du produit

 

N ET TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE DE MODE D'AMÉLIORATION DE P-CANAL

 

Basse charge de porte de ▼Le transistor N de transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance faible d'AP4511GD ET LE MODE d'AMÉLIORATION de P-CANAL ACTIONNENT LE transistor MOSFET

Vitesse de commutation rapide de ▼

Paquet du ▼ PDIP-8

 

N-CH BVSAD 35V

            RDS(DESSUS) 25mΩ

            I7A

P-CH BVSAD -35V

            RDS(DESSUS) 40mΩ

            I-6.1A

Le transistor N de transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance faible d'AP4511GD ET LE MODE d'AMÉLIORATION de P-CANAL ACTIONNENT LE transistor MOSFET

Description

Les transistors MOSFET avancés de puissance de l'APEC fournissent au concepteur la meilleure combinaison de la commutation rapide, de la conception robuste de dispositif, de la sur-résistance très réduite et de la rentabilité.

 

 

Capacités absolues

Symbole Paramètre Évaluation Unités
N-canal P-canal
VDS Tension de Drain-source 35 -35 V
VGS Tension de Porte-source ±20 ±20 V
ID@TA =25℃ Courant continu3de drain 7 -6,1 A
ID@TA =70℃ Courant continu3de drain 5,7 -5 A
IDM Courant pulsé1de drain 30 -30 A
PD@TA =25℃ Dissipation de puissance totale 2,0 W
  Facteur de sous-sollicitation linéaire 0,016 W/℃
TSTG Température ambiante de température de stockage -55 à 150
TJ Température ambiante fonctionnante de jonction -55 à 150

 

Contour de paquet : DIP-8

Le transistor N de transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance faible d'AP4511GD ET LE MODE d'AMÉLIORATION de P-CANAL ACTIONNENT LE transistor MOSFET

 

L'information et emballage d'inscription de partie : DIP-8

Le transistor N de transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance faible d'AP4511GD ET LE MODE d'AMÉLIORATION de P-CANAL ACTIONNENT LE transistor MOSFET

 

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Q'ty MFG D/C Paquet
LM331N 4666 NSC 15+ DIP-8
AD7780BRUZ 4662 ANNONCE 15+ TSSOP-16
LM385M3X-2.5 4656 NSC 14+ SOT-23
ADS1256IDBR 4650 TI 14+ SSOP28
LTC1658CS8#PBF 4636 LINÉAIRE 13+ CONCESSION
AD8643ACPZ 4631 ANNONCE 15+ LFCSP
ADS8361IDBQ 4625 TI 14+ SSOP24
PIC16F1829-I/SS 4622 PUCE 15+ SSOP
AMC1200BDWVR 4622 TI 15+ SOP8
ATMEGA324PA-AU 4621 ATMEL 15+ QFP44
AD8221ARMZ 4611 ANNONCE 14+ MSOP-8
MIC29302WUTR 4604 MICREL 13+ TO-263
LM340T-5.0 4600 NSC 14+ TO-220
ADS1240E 4600 TI 15+ SSOP24
LTC1605CSW 4582 LINÉAIRE 10+ CONCESSION
MAX3241EUI+T 4580 MAXIME 14+ TSSOP
AK4384VT-E2 4580 AKM 15+ TSSOP-16
CS5534-ASZ 4575 CIRRUS 15+ SSOP20
MPX5700DP 4574 FREESCALE 15+ PETITE GORGÉE
ADUM1402ARWZ 4572 ANNONCE 15+ SOP16
ATMEGA88PA-MMHR 4560 ATMEL 15+ QFN32

 

 

 

Inquiry Cart 0