HY6264ALP-10 8 le circuit intégré d'appareils électroniques et de circuits intégrés de puce de la goupille IC ébrèchent x8 SRAM

HY6264A Série 8Kx8bit CMOS SRAM

LA DESCRIPTION

La HY6264A est une RAM statique CMOS haute vitesse, basse consommation et 8 192 x 8 bits fabriquée à l'aide de la technologie de processeur CMOS à double baie haute performance de Hyundai. Ce processus de haute fiabilité couplé avec des techniques de conception de circuits innovants, donne un temps d'accès maximum de 70ns. Le HY6264A dispose d'un mode de rétention des données qui garantit que les données restent valables à la tension d'alimentation minimale de 2,0 volts. En utilisant la technologie CMOS, la tension d'alimentation de 2,0 à 5,5 volts a peu d'effet sur le courant d'alimentation en mode de rétention des données. La réduction de la tension d'alimentation pour minimiser le courant de drain n'est pas nécessaire pour la série HY6264A.

FONCTIONNALITÉS

· Fonctionnement entièrement statique et sorties tri-états

· Entrées et sorties TTL compatibles

· Basse consommation énergétique

· Batterie de sauvegarde (L / LL-partie)

Conservation de données (min.) De -2,0 V

· Configuration standard des broches

-28 broches 600 mil PDIP

-28 broches 330 mil SOP

ÉVALUATION MAXIMUM ABSOLUE ⁽¹⁾

Note 1. Des contraintes supérieures à celles indiquées sous ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS peuvent causer des dommages permanents à l'appareil. Il s'agit uniquement d'une contrainte et le fonctionnement fonctionnel du dispositif dans ces conditions ou dans d'autres conditions supérieures à celles indiquées dans le fonctionnement de cette spécification n'est pas implicite. L'exposition aux conditions de notation maximale absolue pendant une période prolongée peut affecter la fiabilité.

INFORMATIONS DE COMMANDE

DIAGRAMME DE BLOCS DE CONNEXION PIN

INFORMATIONS SUR L'EMBALLAGE

28pin 600mil double paquet en ligne (P)

28pin 330mil petit ensemble de contour (J)

Offre d'actions (Vente chaude)