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Transistor de transistor MOSFET de puissance

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Anterwell Technology Ltd.

Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

Pays / Région:china

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China Transistor de puissance frais du transistor MOS™ de transistor MOSFET de puissance de transistor de puissance de darlington du npn SPA04N60C3 wholesale

Transistor de puissance frais du transistor MOS™ de transistor MOSFET de puissance de transistor de puissance de darlington du npn SPA04N60C3

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Numéro de type :SPA04N60C3

Point d'origine :Usine originale

Quantité d'ordre minimum :10pcs

Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal

Capacité d'approvisionnement :8700pcs

Délai de livraison :jour 1

Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails

Tension claque de Drain-source :600 V

Tension claque d'avalanche de Drain-source :700 V

Tension de seuil de porte :3 v

Courant zéro de drain de tension de porte (Tj =25°C) :0,5 µA

courant de fuite de Porte-source :Na 100

Résistance d'entrée de porte :0,95 Ω

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SPP04N60C3, SPB04N60C3
Données finales SPA04N60C3

Transistor de puissance frais de MOSô

V_jmax de_DS @ T	650	V
R_DS(dessus)	0,95	Ω
I_D	4,5	A

Caractéristique
• Nouvelle technologie à haute tension révolutionnaire
• Charge très réduite de porte
• Avalanche périodique évaluée
• Dv/dt extrême évalué
• Capacité de courant de pointe élevée
• Transconductance amélioré
• P-TO-220-3-31 : Paquet entièrement d'isolement (2500 VCA ; 1 minute)

P-TO220-3-31 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1

Estimations maximum

Paramètre	Symbole	Valeur		Unité
Paramètre	Symbole	SPP_B	STATION THERMALE	Unité
Courant continu de drain Comité technique = °C 25 Comité technique = °C 100	I_D	4,5 2,8	4,5¹⁾ 2,8¹⁾	A
Courant pulsé de drain, t_p limité par le_jmaxde T	I_pulsdeD	13,5	13,5	A
Énergie d'avalanche, impulsion simple I_D=3.4, V_DD=50V	E_AS	130	130	MJ
Énergie d'avalanche, t répétitif_AR limité par le_jmaxde T²⁾ I_D=4.5A, V_DD=50V	E_AR	0,4	0,4	MJ
Avalanche actuelle, t répétitif_AR limité par le_jmaxde T	I_L'AR	4,5	4,5	A
Charge statique de tension de source de porte	V_GS	±20	±20	V
C.A. de tension de source de porte (f >1Hz)	V_GS	±30	±30
Dissipation de puissance, T_C = 25°C	_Doigtde P	50	31	W
Opération et température de stockage	T_j, _stgde T	-55… +150		°C
Vidangez la pente de tension de source V_DS = 480 V, I_D = 4,5 A, T_j = °C 125	dv/dt	50		V/ns

P-TO-220-3-1

P-TO-263-3-2 (D2-PAK)

P-TO-220-3-31 (FullPAK)

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce.

Q'ty

MFG

D/C

Paquet

MC14536BDWR2G	6563	SUR	16+	CONCESSION
LT5400BCMS8E-4#PBF	4130	LINÉAIRE	16+	MSOP
MC4741CD	3556	MOT	16+	CONCESSION
PIC10F322T-I/OT	9250	PUCE	16+	IVROGNE
MC14584BDR2G	10000	SUR	16+	CONCESSION
LT1014DSW#TRPBF	8146	LT	14+	SOP-16
MC145152DW2	5186	FREESCAL	15+	CONCESSION
MC78M05CDTX	10000	FAI	16+	SOT-252
MBM29F040C-90PD-SFL	14690	FUJITSU	16+	PLCC
L6563TR	3752	St	15+	SOP14
MUR1560G	7604	SUR	16+	TO-220
MUR840G	7300	SUR	16+	TO-220
MMSZ4682T1G	25000	SUR	16+	SOD-123
MC68HC908QY4ACDWE	3820	FREESCALE	16+	SOIC
MB8431-90LPFQ	3226	FUJI	16+	QFP
MMSZ5246BT1G	30000	SUR	16+	SOD-123
LM5642MTCX	1833	NSC	14+	TSSOP-28
PIC16F1829-I/SS	5263	PUCE	16+	SSOP
L4940V12	3675	St	14+	TO-220
RA8875L3N	1200	RAIO	15+	TQFP-100
MB8421-90LPFQ-GE1	3165	FUJI	14+	QFP

Mots clés du produit: