Puce CMOS 5,0 réservée au volt, mémoire instantanée de circuit intégré de puce de la goupille IC d'AM29F040B-70JD 8 de secteur uniforme

Am29F040B

4 millions de bits (512 K X à 8 bits) CMOS 5,0 de réservé au volt, mémoire instantanée de secteur uniforme

CARACTÉRISTIQUES DISTINCTIVES

• 5,0 le ± 10% de V pour lu et écrivent des opérations

   — Réduit au minimum l'alimentation électrique au niveau système

• Construit sur 0,32 technologies transformatrices de µm

   — Compatible avec 0,5 dispositifs du µm Am29F040

• Haute performance

   — Temps d'accès Plus rapidement que 55 NS

• Consommation de puissance faible

   — l'active typique de 20 mA a lu le courant

   — 30 programmes typiques de mA/courant d'effacement

   — 1 courant de réserve typique de µA (temps d'accès standard au mode actif)

• Architecture flexible de secteur

   — 8 secteurs uniformes de 64 K bytes chacun

   — N'importe quelle combinaison des secteurs peut être effacée

   — Plein effacement de puce de soutiens

   — Protection de secteur : Une méthode de matériel de fermer à clef des secteurs pour empêcher tout programme

        ou opérations d'effacement dans ce secteur

• Algorithmes inclus

   — L'algorithme inclus d'effacement automatiquement préprogramme et efface la puce entière

       ou toute combinaison des secteurs indiqués

   — L'algorithme inclus de programme automatiquement écrit et vérifie des octets aux adresses spécifiques

• Le programme/effacement du minimum 1 000 000 fait un cycle par secteur garanti

• conservation de 20 données d'an à 125°C

   — Opération fiable pendant la vie du système

• Options de paquet

   — 32 goupille PLCC, TSOP, ou PDIP

• Compatible avec des normes de JEDEC

   — Pinout et compatible au plan logiciel avec la norme d'instantané de simple-puissance-approvisionnement

   — Négligents supérieurs écrivent la protection

• Peu de vote et de cabillot de Data#

   — Fournit une méthode de logiciel de détecter l'achèvement de programme ou de cycle d'effacement

• L'effacement suspendent/résumé d'effacement

   — Suspend une opération d'effacement de secteur pour lire des données, ou des données de programme, derrière un secteur de non-effacement,

        reprend alors l'opération d'effacement

DESCRIPTION GÉNÉRALE

L'Am29F040B est des 4 Mbit, la mémoire 5,0 instantanée réservée au volt organisée en tant que 524 288 K bytes de 8 bits chacun. Les 512 K bytes de données sont divisés en huit secteurs de 64 K bytes chacun pour la capacité flexible d'effacement. Les 8 bits des données apparaissent sur DQ0-DQ7. L'Am29F040B est offert dans 32 la goupille des paquets de PLCC, de TSOP, et de PDIP. Ce dispositif est conçu pour être dans-système programmé avec le système standard_cc d'approvisionnement de 5,0 volts V. 12,0 volts V_pp ne sont pas exigés pour écrivent ou effacent des opérations. Le dispositif peut également être programmé dans les programmeurs standard d'EPROM.

Ce dispositif est manufacturé utilisant 0,32 technologies transformatrices du µm d'AMD, et offre tous les caractéristiques et avantages de l'Am29F040, qui était manufacturé utilisant 0,5 technologies transformatrices de µm. Dans l'addtion, l'Am29F040B a un deuxième peu à bascule, DQ2, et offre également la capacité de programmer dans l'effacement suspend le mode.

L'Am29F040B standard offre des temps d'accès de 55, de 70, de 90, et de 120 NS, permettant aux microprocesseurs ultra-rapides de fonctionner sans états d'attente. Pour éliminer la controverse d'autobus que le dispositif fait permettre la puce distincte (CE#), écrivez permettent (WE#) et la sortie permettent les contrôles (OE#).

Le dispositif exige seulement une alimentation d'énergie simple de 5,0 volts pour indiqué et écrit des fonctions. Des tensions intérieurement produites et réglées sont données pour le programme et effacent des opérations.

Le dispositif est entièrement compatible réglé de commande avec la norme d'instantané de simple-puissance-approvisionnement de JEDEC. Des commandes sont écrites au registre de commande utilisant le microprocesseur standard écrivent des synchronisations. Le contenu de registre sert d'entrée à une état-machine interne qui commande l'effacement et les circuits de programmation. Écrivez les cycles intérieurement verrouillent également des adresses et des données requises pour la programmation et effacent des opérations. La lecture des données hors du dispositif est semblable à la lecture de l'autre éclair ou des dispositifs d'EPROM.

La programmation de dispositif se produit en exécutant l'ordre de commande de programme. Ceci lance l'algorithme interne inclus d'algorithme-un de programme qui chronomètre automatiquement les durées d'impulsion de programme et vérifie la marge appropriée de cellules.

L'effacement de dispositif se produit en exécutant l'ordre de commande d'effacement. Ceci lance l'algorithme interne inclus d'algorithme-un d'effacement qui préprogramme automatiquement la rangée (si elle n'est pas déjà programmée) avant d'exécuter l'opération d'effacement. Pendant l'effacement, le dispositif chronomètre automatiquement les durées d'impulsion d'effacement et vérifie la marge appropriée de cellules.

Le système hôte peut détecter si une opération de programme ou d'effacement est complète en lisant le peu de statut DQ7 (vote de Data#) et DQ6 (à bascule). Après qu'un programme ou un cycle d'effacement ait été accompli, le dispositif est prêt à indiquer des données de rangée ou à accepter une autre commande.

L'architecture d'effacement de secteur permet à des secteurs de mémoire d'être effacés et reprogrammés sans affecter les teneurs en données d'autres secteurs. Le dispositif est entièrement effacé une fois transporté de l'usine.

Les mesures de protection des données de matériel incluent un bas détecteur VCC qui empêche automatiquement écrivent des opérations pendant les transitions de puissance. La caractéristique de protection de secteur de matériel désactive des opérations de programme et d'effacement dans une combinaison des secteurs de la mémoire. Ceci peut être réalisé par l'intermédiaire de l'équipement de programmation.

L'effacement suspendent la caractéristique permet à l'utilisateur de mettre l'effacement sur la prise pour n'importe quelle période de lire des données, ou à des données de programme, derrière n'importe quel secteur qui n'est pas choisi pour l'effacement. Le véritable effacement de fond peut être réalisé ainsi.

Le système peut placer le dispositif dans le mode veille. La puissance est considérablement réduite en ce mode.

La technologie instantanée d'AMD combine des années d'expérience de fabrication de mémoire instantanée pour produire les niveaux les plus élevés de la rentabilité de qualité, de fiabilité et. Le dispositif efface électriquement tout le peu dans un secteur simultanément par l'intermédiaire du perçage d'un tunnel de Fowler-Nordheim. Les données sont programmées utilisant l'injection chaude d'électron.

CAPACITÉS ABSOLUES

Température de stockage

    Paquets en plastique…………… – 65°C à +125°C

Température ambiante

    étant mis sous tension. …………. – 55°C à +125°C

Tension en ce qui concerne la terre

    VCC (note 1)……………. – 2,0 V à 7,0 V

    A9, OE# (note 2). ………. – 2,0 V à 12,5 V

    Toutes autres goupilles (note 1)………. – 2,0 V à 7,0 V

Courant de court-circuit de sortie (note 3)…… 200 mA

Notes :

1. La tension CC Minimum sur l'entrée ou les goupilles d'entrée-sortie est – 0,5 V. Pendant les transitions de tension, les entrées peuvent sous-évaluer le VSS – 2,0 V pendant des périodes jusqu'à de 20 NS. Voyez que tension CC De maximum du schéma 5. sur l'entrée et les goupilles d'entrée-sortie est VCC + 0,5 V. Pendant les transitions de tension, entrez et les goupilles d'entrée-sortie peuvent dépasser à VCC + 2,0 V pendant des périodes jusqu'à 20 NS. Voir le schéma 6.

2. La tension d'entrée minimum de C.C sur la goupille A9 est – 0,5 V. Pendant les transitions de tension, A9 et OE# peuvent sous-évaluer le VSS – 2,0 V pendant des périodes jusqu'à de 20 NS. Voyez que tension d'entrée de C.C de maximum du schéma 5. sur A9 et OE# est 12,5 V qui peut dépasser à 13,5 V pendant des périodes jusqu'à 20 NS.

3. Pas plus d'un produit court-circuité pour rectifier à la fois. La durée du court-circuit ne devrait pas être plus grande qu'une seconde.

Les efforts au-dessus de ceux énumérés sous « des capacités absolues » peuvent endommager permanent le dispositif. C'est un effort évaluant seulement ; l'opération fonctionnelle du dispositif à ces derniers ou d'aucune autre condition au-dessus de ceux indiqués dans les sections opérationnelles de ces spécifications n'est pas impliquée. L'exposition du dispositif aux conditions de capacité absolue pendant des périodes prolongées peut affecter la fiabilité de dispositif.

Forme d'onde négative maximum d'Overshoot du schéma 5.

Forme d'onde positive maximum d'Overshoot du schéma 6.

PLAGES DE FONCTIONNEMENT

Dispositifs du message publicitaire (c)

Température ambiante (T_A)………. 0°C à +70°C

(i) dispositifs industriels

Température ambiante (T_A)……… – 40°C à +85°C

(e) dispositifs prolongés

Température ambiante (T_A)……. – 55°C à +125°C

V tensions d'alimentation de_cc

V_cc pour des dispositifs du ± 5%………. +4,75 V à +5,25 V

V_cc pour des dispositifs du ± 10%………. +4,5 V à +5,5 V

Les plages de fonctionnement définissent ces limites entre lesquelles la fonctionnalité du dispositif est garantie.

SCHÉMA FONCTIONNEL

DIAGRAMMES DE CONNEXION

Offre courante (vente chaude)