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Accueil / produits / Power Mosfet Transistor /

TRANSISTOR BIPOLAIRE de TRANSISTORS d'usage universel du transistor SOT-23 de transistor MOSFET de puissance de transistor du npn BC817-25 (NPN)

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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China TRANSISTOR BIPOLAIRE de TRANSISTORS d'usage universel du transistor SOT-23 de transistor MOSFET de puissance de transistor du npn BC817-25 (NPN) wholesale
  • China TRANSISTOR BIPOLAIRE de TRANSISTORS d'usage universel du transistor SOT-23 de transistor MOSFET de puissance de transistor du npn BC817-25 (NPN) wholesale

TRANSISTOR BIPOLAIRE de TRANSISTORS d'usage universel du transistor SOT-23 de transistor MOSFET de puissance de transistor du npn BC817-25 (NPN)
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Numéro de type :BC817-25
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :10pcs
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :8200PCS
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Tension de collecteur-base :50 V
Tension de collecteur-émetteur :45 V
tension d'Émetteur-base :5 V
Collecteur actuel-continu :0,5 A
Dissipation de collecteur :0,3 W
Jonction et température de stockage :-55 ℃ -150
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TRANSISTOR BIPOLAIRE DES TRANSISTORS SOT-23 (NPN)

 

CARACTÉRISTIQUES

  • Pour des applications générales d'AF
  • Courant de collecteur élevé
  • Gain à forte intensité
  • Basse tension de saturation de collecteur-émetteur

DONNÉES MÉCANIQUES

  • Cas : Plastique moulé
  • Époxyde : Taux de l'UL 94V-O ignifuge
  • Avance : Méthode 208C de MIL-STD-202E garantie
  • Position de montage : Quels
  • Poids : 0,008 grammes

ESTIMATIONS MAXIMUM (@ MERCI = 25℃ sauf indication contraire)

CARACTÉRISTIQUES SYMBOLE VALEUR UNITÉS
Tension de collecteur-base VCBO 50 V
Tension de collecteur-émetteur VPRÉSIDENT 45 V
tension d'Émetteur-base VEBO 5 V
Collecteur actuel-continu IC 0,5 A
Dissipation de collecteur PC 0,3 W
Jonction et température de stockage TJ, stgde T -55 -150 ℃

 

TRANSISTOR BIPOLAIRE de TRANSISTORS d'usage universel du transistor SOT-23 de transistor MOSFET de puissance de transistor du npn BC817-25 (NPN)

 

COURBES D'ESTIMATION ET DE CARACTÉRISTIQUES (BC817-16/-25/-40)

TRANSISTOR BIPOLAIRE de TRANSISTORS d'usage universel du transistor SOT-23 de transistor MOSFET de puissance de transistor du npn BC817-25 (NPN)

TRANSISTOR BIPOLAIRE de TRANSISTORS d'usage universel du transistor SOT-23 de transistor MOSFET de puissance de transistor du npn BC817-25 (NPN)

 

 

 

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Q'ty MFG D/C Paquet
BFY90 6000 PHI 03+ CAN4
LNK305PN 5632 PUISSANCE 15+ DOP-7
PK160F-80 150 SANREX 11+ MODULE
54102-0204 3818 MOLEX 15+ connecteur
MCP1703T-3302E/CB 5092 PUCE 16+ SOT-23
MOC3083M 5595 FSC 16+ IMMERSION
LM4853MMX 4874 NSC 15+ MSOP-10
PIC18F24K22-I/SO 4608 PUCE 14+ CONCESSION
CLC007AJE 2344 NS 15+ CONCESSION
MC34063ADR2G 10000 SUR 16+ CONCESSION
LP2950CZ-3.0 6276 SUR 14+ TO-92
PIC16F74-I/P 4993 PUCE 16+ IMMERSION
LZ-24SE 4816 TAKAMISAW 15+ IMMERSION
PC918 11780 POINTU 10+ DIP-8
LTC4425EMSE#PBF 6220 LT 14+ MSOP
LZ-12S-UC 4829 TAKAMISAW 16+ IMMERSION
M93C56-MN6T 30000 St 16+ CONCESSION
LM809M3X-3.08 3870 NSC 15+ SOT-23-3
MC74VHC1G14DFT1 38000 SUR 16+ IVROGNE
LM79L05ACMX 10000 NSC 14+ SOP-8
OPA4131PA 7640 TI 12+ IMMERSION

 

 

 

 

Mots clés du produit:

npn and pnp transistor working

general purpose acrylate sealants

sanrex transistor module
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