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Triacs complémentaires du module d'alimentation de transistor MOSFET de transistors de puissance de silicium de BTA40-600B 40A

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Triacs complémentaires du module d'alimentation de transistor MOSFET de transistors de puissance de silicium de BTA40-600B 40A

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Numéro de type :BTA40-600B
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :10pcs
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :7600pcs
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Température ambiante de jonction de stockage :- 40 à + 150°C
Température ambiante fonctionnante de jonction :- 40 à + 125°C
Dissipation de puissance moyenne de porte :1 W
Courant maximal de porte :8 A
Tension de seuil :0,85 V
Résistance dynamique :mΩ 10
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Série BTA40, BTA41 et BTB41
TRIACS 40A
 
Caractéristiques principales

SymboleValeurUnité
IT(RMS)40A
VDRM/VRRM600 et 800V
ILEGT(Q1)50mA

 
DESCRIPTION
Disponible en paquets de puissance élevée, la série de BTA/BTB40-41 convient à la commutation d'usage universel à C.A. Ils peuvent être employés comme fonction "MARCHE/ARRÊT" dans les demandes telles que les relais statiques, règlement de chauffage, moteur à induction mettant en marche des circuits… ou d'opération de contrôle de phase dans des rhéostats légers, contrôleurs de vitesse de moteur,…
Grâce à leur technique d'ensemble d'agrafe, ils fournissent une représentation supérieure dans le courant de montée subite manipulant des capacités.
À l'aide d'une protection en céramique interne, la série de BTA fournit la tension étiquette isolée (évaluée à 2500VRMS) étant conforme aux normes d'UL (dossier réf. : E81734).
 
Capacités absolues

SymboleParamètreValeurUnité
IT(RMS)Courant de sur-état de RMS (pleine onde sinusoïdale)RD91/TOP3Comité technique = 95°C40A
Institut central des statistiques de DESSUS.Comité technique = 80°C
ITSMCourant non répétitif de sur-état de crête de montée subite (plein cycle, initiale de Tj = 25°C)F = 50 hertzt = Mme 20400A
F = 60 hertzt = Mme 16,7420
I ² tI valeur du ² t pour la fusion

      tp = Mme 10

880Un ² s
dI/dtTaux critique de hausse du courant I de sur-étatG = 2 x IGT, ≤ 100 NS de TRF = 120 hertzTj = 125°C50A/µs
VDSM/VRSMTension hors état de crête non répétitive de montée subitetp = Mme 10Tj = 25°C

VDSM/VRSM

+ 100

V
IGMCourant maximal de portetp = 20 µsTj = 125°C8A
PG(POIDS DU COMMERCE)Dissipation de puissance moyenne de porteTj = 125°C1W

Tstg

Tj

Température ambiante de jonction de stockage

Température ambiante fonctionnante de jonction

- 40 + à 150

- 40 + à 125

°C

 
Triacs complémentaires du module d'alimentation de transistor MOSFET de transistors de puissance de silicium de BTA40-600B 40A
 
(Isolé et non isolé) données mécaniques du paquet TOP3
Triacs complémentaires du module d'alimentation de transistor MOSFET de transistors de puissance de silicium de BTA40-600B 40A
 
Données mécaniques du paquet RD91
Triacs complémentaires du module d'alimentation de transistor MOSFET de transistors de puissance de silicium de BTA40-600B 40A
 
 
Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce.Q'tyMFGD/CPaquet
X9C104PIZ7680INTERSIL15+DIP-8
PC354NJ0000F10000POINTU16+CONCESSION
X5043P3000INTERSIL13+DIP-8
LMC7660IM3224NSC13+SOP-8
MID400S6796FAIRCHILD12+SOP-8
MAX3378EEUD+T12200MAXIME16+TSSOP
NTR4101PT1G40000SUR16+SOT-23
NCP1207APG10880SUR13+IMMERSION
MOC3163SM5609FSC12+CONCESSION
PIC32MX460F512L-80I/PT900PUCE14+TQFP-64
LM4871MX4783NSC15+SOP-8
L298HN2399St14+FERMETURE ÉCLAIR
NDS8434A10000FAIRCHILD16+SOP-8
MC34166TVG3478SUR16+TO-220
MBRF20100CTG10000SUR16+TO-220
LT3591EDDB#TRMPBF13514LINÉAIRE14+DFN
LM318MX2000NSC15+SOP-8
NCP1117ST50T3G10000SUR16+SOT-223
MC33204DR2G5938SUR16+CONCESSION
AT24C02B-PU2200ATMEL14+DIP-8
LTC1665CGN#PBF5890LINÉAIRE16+SSOP

 
 
 
 

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