Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Membre du site
10 Ans
Accueil / produits / Power Mosfet Transistor /

TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL électrique du transistor NPN de transistor MOSFET de puissance du transistor MOSFET IC de puissance du fossé HJ44H11

Contacter
Anterwell Technology Ltd.
Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
Contact:MissSharon Yang
Contacter

TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL électrique du transistor NPN de transistor MOSFET de puissance du transistor MOSFET IC de puissance du fossé HJ44H11

Demander le dernier prix
Numéro de type :HJ44H11
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :10pcs
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :8600pcs
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Tension de collecteur-émetteur :80 v
tension d'Émetteur-base :5 V
Courant de collecteur :8 A
Courant bas :5 A
La température de jonction :℃ +150
La température de stockage :-55~+150 ℃
more
Contacter

Add to Cart

Trouver des vidéos similaires
Voir la description du produit

 

TRANSISTOR DE SILICIUM DE HJ44H11 NPN

TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE NPN

 

DESCRIPTION de „

L'UTC HJ44H11 est conçu pour des applications telles que : série, shunt et régulateurs de commutation ; étapes de sortie et de conducteur des amplificateurs fonctionnant aux fréquences à partir du C.C à plus grand que 1MHz ; bas et à haute fréquence inverseurs/convertisseurs ; et beaucoup d'autres.

 

CAPACITÉS ABSOLUES (TA=25℃)

PARAMÈTRE SYMBOLE ESTIMATIONS UNITÉ
Tension de collecteur-émetteur VPRÉSIDENT 80 V
Tension de collecteur-émetteur VCES 80 V
Tension d'Émetteur-base VEBO 5 V
Courant de collecteur IC 8 A
Courant bas IB 5 A
Dissipation de puissance (TC=25℃) SOT-223 PD 5 W
TO-220 65 W
TO-252 20 W
La température de jonction TJ +150
Température de stockage TSTG -55~+150

Note : Les capacités absolues sont ces valeurs au delà dont le dispositif pourrait être de manière permanente endommagé.

          Les capacités absolues sont des estimations d'effort seulement et l'opération fonctionnelle de dispositif n'est pas impliquée.

 

TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL électrique du transistor NPN de transistor MOSFET de puissance du transistor MOSFET IC de puissance du fossé HJ44H11

 

CARACTÉRISTIQUES TYPIQUES

TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL électrique du transistor NPN de transistor MOSFET de puissance du transistor MOSFET IC de puissance du fossé HJ44H11

 

 

 

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Q'ty MFG D/C Paquet
NTR4502PT1G 38000 SUR 16+ SOT-23
LTC1763CS8 6110 LT 15+ CONCESSION
LP2985-30DBVR 4843 TI 15+ SOT-23-5
LP2986AIMX-3.3 2463 NSC 14+ SOP-8
MC1458D 10000 St 16+ CONCESSION
MR752 6281 SUR 16+ IMMERSION
MMBT3906-7-F 28000 DIODES 16+ SOT-23
PIC10F220T-I/OT 9050 PUCE 16+ IVROGNE
PIC16F684-I/SL 5073 PUCE 16+ CONCESSION
L7915CD2T 3697 St 15+ TO263
LM2940T-9.0 3179 NSC 12+ TO-220
LM399H 3026 NSC 14+ POUVEZ
MMBF5460 30000 FAIRCHILD 16+ SOT-23
OB2201CCPA 5480 ON-BRIGHT 16+ SOP-8
LMV339IPWR 4737 TI 15+ TSSOP-14
M1MA142WKT1 40000 SUR 16+ IVROGNE
MJE350G 10000 SUR 16+ TO-126
MT48LC64M8A2P-75 7338 MICRON 16+ TSOP
ZXM64P02XTA 1500 ZETEX 15+ MSOP-8
MT29F2G08ABAEAWP : E 6953 MICRON 15+ TSOP
LM339PWR 30000 TI 14+ TSSOP-14

 

 

 

 

 

 

Inquiry Cart 0