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Microcontrôleurs d'instantané d'USB de puce de circuit intégré de diode de redresseur de NGD8201NG

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Microcontrôleurs d'instantané d'USB de puce de circuit intégré de diode de redresseur de NGD8201NG

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Numéro de type :NGD8201NG
Point d'origine :Taiwan
Quantité d'ordre minimum :2500pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :250000PCS
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :2500/REEL
Plage de température :-55°C à +175°C
délai de paiement :T / T, PayPal, Western Union
tension :40V
Actuel :20A
Paquet :DPAK
paquet d'usine :2500pcs/reel
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NGD8201NG Redresseur Diode Circuit intégré Microcontrôleurs Flash USB

NGD8201NG

Allumage IGBT 20 A, 400 V, N-Channel DPAK

Ce transistor bipolaire à port isolé à niveau logique (IGBT) comporte un circuit monolithique intégrant ESD et une protection serrée contre les surtensions pour une utilisation dans des applications de bobines inductives. Les utilisations principales incluent l'allumage, l'injection directe de carburant, ou partout où la haute tension et la commutation de courant élevée sont exigées.

Caractéristiques

• Idéal pour les applications bobine sur fiche et pilote sur bobine

• Le paquet DPAK offre une plus petite empreinte pour un espace de planches plus grand

• Protection ESD à porte-émetteur

• Limites de la limite de tension du collecteur de porte compensée en température Stress appliqué à la charge

• Protection contre les diodes ESD intégrées

• Tension de seuil bas pour l'interfaçage des charges de puissance aux dispositifs logiques ou à microprocesseur

• Faible tension de saturation

• Haute capacité de courant pulsé

• Résistance de porte optionnelle (RG) et résistance porte-émetteur (RGE)

Applications

• Système d'allumage

COTES MAXIMALES (TJ = 25 ° C , sauf indication contraire)

Cote Symbole Valeur Unité Tension collecteur-émetteur VCES 440 V

Tension de collecteur-porte VCER 440 V

Tension de porte-émetteur VGE 15 V

Courant du collecteur-Continu @ TC = 25 ° C - IC pulsé 20 50

ADC AAC Courant continu de porte IG 1,0 mA

Courant de porte transitoire (t ≤ 2 ms, f ≤ 100 Hz) IG 20 mA

ESD (modèle à chargeur) ESD 2.0 kV

ESD (modèle de corps humain) R = 1500,

C = 100 pF ESD 8,0 kV ESD (modèle de machine) R = 0, C = 200 pF

ESD 500 V Dissipation de puissance totale @ TC = 25 ° C

Dégrader au-dessus de 25 ° C PD 125 0,83 WW / ° C

Température de fonctionnement et de stockage TJ, Tstg -55 à +175 ° C

Une partie de la liste d'actions

INDUTOR 2.2UH NLFC322522T-2R2M-PF TDK Y6438385HU SMD3225
INDUTOR 10UH NLFC322522T-100K-PF TDK Y643780LHU SMD3225
CI LTC3406ES5-1.8TRPBF LINÉAIRE LTC4 SOT23-5
CI LTC3406ES5-1.5TRPBF LINÉAIRE LTD6 SOT23-5
CI SN74HC273DWR TI 87D71RK / 85FKF2K SOP-20
RES 0R 5%
RC0805JR-070RL
YAGEO 1645 SMD0805
RES 49R9 1%
RC0805FR-0749R9L
YAGEO 1639 SMD0805
RES 6K8 1%
RC0805FR-076K8L
YAGEO 1633 SMD0805
RES 0R 5%
RC0603JR-070RL
YAGEO 1645 SMD0603
CAP 0805 10UF 16V X5R CL21A106KOQNNNE SAMSUNG AC7JO2H SMD0805
DIODO B330A-13-F DIODES 1522 / B330A SMA
Cl MM74C922N FAC BH56AB DIP-18
DIODO BYG23M-E3 / TR VISHAY 1632 SMA
CI CD4052BM96 TI 69P1HQA SOP-16
RES 1210 220R 5% RC1210JR-07220RL YAGEO 1633 SMD1210
RES 1210 330R 5% RC1210JR-07330RL YAGEO 1641 SMD1210
CAP 0805 100NF 16V X7R 0805YC104KAT2A AVX 1622 SMD0805
RES 0805 1K5 1%
RC0805FR-071K5L
YAGEO 1641 SMD0805
RES 0805 3K3 1%
RC0805FR-073K3L
YAGEO 1641 SMD0805
CI SN74LS373N TI 1606 + 5 DIP-20
OPTOACOPLADOR 4N25M FSC 629Q DIP-6
RES 0805 4K7 5%
RC0805JR-074K7L
YAGEO 1642 SMD0805
RES 0805 4K99 1%
RC0805FR-074K99L
YAGEO 1643 SMD0805
RES 0805 75R 1%
RC0805FR-0775RL
YAGEO 1643 SMD0805
CAP 0805 220PF 50V NPO 08055A221JAT2A AVX 1633 SMD0805
CI SSD1961G40 SALOMON L045AF BGA40
CI LM336D-2.5 TI 336-25 / 68MA6EG SOP-8
CI TPS61041DBVR TI PHPI SOT23-5
DIODO 1N4756A SEMTECH SL0C2P0817Z185G DO-41
CONVERTISSEUR CI
MCP3201-CI / P
PUCE ÉLECTRONIQUE 1621SOD DIP-8
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