Type épitaxial du silicium NPN de module de transistor de puissance de TOSHIBA
(Quatre transistors de puissance de Darlington dans un)
MP4104
Applications de commutation de puissance élevée
Commande de marteau, commande de moteur d'impulsion et commutation de charge inductive
• Petit paquet par le plein bâti (goupilles de PETITE GORGÉE 10)
• Dissipation de puissance élevée de collecteur (opération 4-device) : PT = 4 W (merci = 25°C)
• Courant de collecteur élevé : IC(C.C) = 4 A (maximum)
• Gain actuel élevé de C.C : hFe = 2000 (minute) (CEde V = 2 V, IC = 1,5 A)
Capacités absolues (merci = 25°C)
| Caractéristiques |
Symbole |
Évaluation |
Unité |
| Tension de collecteur-base |
VCBO |
120 |
V |
| Tension de collecteur-émetteur |
VPRÉSIDENT |
100 |
V |
| tension d'Émetteur-base |
VEBO |
6 |
V |
| Courant de collecteur |
C.C |
IC |
4 |
A |
| Impulsion |
ICP |
6 |
A |
| Courant bas continu |
IB |
0,5 |
A |
| Dissipation de puissance de collecteur (opération 1-device) |
PC |
2,0 |
W |
| Dissipation de puissance de collecteur (opération 4-device) |
PT |
4,0 |
W |
| La température de jonction |
Tj |
150 |
°C |
| Température ambiante de température de stockage |
Stgde T |
−55 à 150 |
°C |
Note : L'utilisation sans interruption sous des charges lourdes (par exemple l'application d'à hautes températures/de courant/de tension et de la modification importante dans la température, etc.) peut faire diminuer ce produit dans la fiabilité de manière significative même si les conditions de fonctionnement (c.-à-d. température de fonctionnement/courant/tension, etc.) sont dans les capacités absolues.
Veuillez concevoir la fiabilité appropriée lors de passer en revue le manuel de fiabilité de semi-conducteur de Toshiba (concept et méthodes de /Derating « manipulant précautions ») et les différentes données de fiabilité (c.-à-d. rapport des essais de fiabilité et taux d'échec, etc. prévus).
Unité industrielle d'applications : millimètre
Poids : 2,1 g (type.)
Configuration de rangée
Repérage
