SFH610A/SFH6106
Coupleur optique, sortie de phototransistor, fiabilité élevée, 5300 VRMS
Caractéristiques 
• Bonnes linéarités de CTR selon le courant en avant
• Tension d'essai d'isolement, 5300 VRMS
• Tension de collecteur-émetteur élevée, Présidentde V = 70 V
• Basse tension de saturation
• Temps rapides de commutation
• Basse dégradation de CTR
• Écurie de la température
• Basse capacité d'accouplement
• Fin-empilable, 0,100" espacement (2,54 millimètres)
• Immunité élevée d'interférence de Commun-mode
• Menez (Pb) le composant sans
• Composant dans l'accord à RoHS 2002/95/EC et WEEE 2002/96/EC
Approbations d'agence
• UL1577, code Hollerith Du système E52744 de dossier non ou J, double protection
• EN 60747-5-2 (VDE0884) DIN
En 60747-5-5 DIN en suspens
Disponible avec l'option 1
• CSA 93751
• BSI IEC60950 IEC60065
Description
La caractéristique SFH610A (IMMERSION) et SFH6106 (SMD) un rapport à forte intensité de transfert, une basse capacité d'accouplement et une tension élevée d'isolement. Ces coupleurs ont un émetteur infrarouge de diode de GaAs, qui est optiquement couplé à un détecteur planaire de phototransistor de silicium, et sont incorporés en plastique DIP-4 ou paquet de SMD. Les dispositifs d'accouplement sont conçus pour la transmission de signal entre deux circuits électriquement séparés. Les coupleurs sont fin-empilables avec 2,54 millimètres d'espacement.
Des distances d'ascension et de dégagement de > 8,0 millimètres sont réalisées avec l'option 6. Cette version est conforme au CEI 60950 (VDE 0805 DIN) pour l'isolation renforcée jusqu'à une tension d'opération de 400 VRMS ou C.C. Caractéristiques sujet au changement.
Capacités absolues
Tamb = °C 25, sauf indication contraire
Les efforts au-dessus des capacités absolues peuvent endommager permanent le dispositif. Le fonctionnement fonctionnel du dispositif n'est impliqué à ces derniers ou à aucune autre condition au-dessus de ceux donnés dans les sections opérationnelles de ce document. L'exposition à la capacité absolue pendant des périodes prolongées du temps peut compromettre la fiabilité.
Entrée
| Paramètre |
Condition d'essai |
Symbole |
Valeur |
Unité |
| Tension inverse |
|
VR |
6,0 |
V |
| Le C.C expédient le courant |
|
IF |
60 |
mA |
| La montée subite expédient le courant |
µs du ≤ 10 de t |
IFSM |
2,5 |
A |
| Dissipation de puissance |
|
Dissde P |
100 |
mW |
Sortie
| Paramètre |
Condition d'essai |
Symbole |
Valeur |
Unité |
| Tension de collecteur-émetteur |
|
VCE |
70 |
V |
| tension d'Émetteur-collecteur |
|
VL'EC |
7,0 |
V |
| Courant de collecteur |
|
IC |
50 |
mA |
| Mme du ≤ 1,0 de t |
IC |
100 |
mA |
| Dissipation de puissance |
|
Dissde P |
150 |
mW |
Coupleur
| Paramètre |
Condition d'essai |
Symbole |
Valeur |
Unité |
| La tension d'essai d'isolement entre l'émetteur et le détecteur, se rapportent au climat DIN 40046, la partie, novembre 74 |
|
VOIN |
5300 |
VRMS |
| Ascension |
|
|
≥ 7,0 |
millimètre |
| Dégagement |
|
|
≥ 7,0 |
millimètre |
| Épaisseur d'isolation entre l'émetteur et le détecteur |
|
|
≥ 0,4 |
millimètre |
| Index de cheminement comparatif par CEI 112/VDEO 303, partie DIN |
|
|
≥ 175 |
|
| Résistance d'isolement |
VE/S = 500 V, ambde T = °C 25 |
RD'E/S |
≥ 1012 |
Ω |
| VE/S = 500 V, ambde T = °C 100 |
RD'E/S |
≥ 1011 |
Ω |
| Température ambiante de température de stockage |
|
Stgde T |
- 55 + à 150 |
°C |
| Température ambiante de température ambiante |
|
Ambde T |
- 55 + à 100 |
°C |
| La température de jonction |
|
Tj |
100 |
°C |
| La température de soudure |
distance de soudure d'immersion du maximum 10 S. à poser le ≥ plat 1,5 millimètres |
Sldde T |
260 |
°C |
Dimensions de paquet en pouces (millimètres)
