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IRG4BC20KDPBF A ISOLÉ le transistor MOSFET BIPOLAIRE de puissance faible de TRANSISTOR de PORTE

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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IRG4BC20KDPBF A ISOLÉ le transistor MOSFET BIPOLAIRE de puissance faible de TRANSISTOR de PORTE

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Numéro de type :IRG4BC20KDPBF
Point d'origine :Originale
Quantité d'ordre minimum :5pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :290pcs
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Tension de Collecteur-à-émetteur :600 V
Courant de collecteur pulsé :92 A
Courant maintenu de charge inductive :92 A
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IRG4BC20KDPBF

TRANSISTOR BIPOLAIRE À PORTE ISOLÉE MOSFET basse puissance

Caractéristiques

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