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J13009-2 transistor MOSFET à haute tension à haute tension de puissance de transistor de puissance de la Rapide-commutation NPN

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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J13009-2 transistor MOSFET à haute tension à haute tension de puissance de transistor de puissance de la Rapide-commutation NPN

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Numéro de type :J13009-2
Point d'origine :Thaïlande
Quantité d'ordre minimum :100PCS
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :5200PCS
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Tension de collecteur-base :700 V
Tension de collecteur-émetteur :400 V
tension d'Émetteur-base :9 v
Courant de collecteur (C.C) :12 A
Courant de collecteur (impulsion) :24 A
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BDW93C 3250 St 16+ TO-220
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IR2156S 3369 IR 15+ SMD-14
HM628512CLP-5 3400 HITACHI 16+ DIP32
ICM7555IPA 3426 INTERSIL 15+ DIP8
LM5025MTCX 3440 NS 12+ TSSOP16
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LM4853MM 3450 NS 12+ MSOP10
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IRF9640S 3455 IR 16+ TO263
PIC16F57-I/SO 3455 PUCE 16+ SOP28
SSC54 3470 VISHAY 16+ DO-214AB
FMMT560TA 3477 ZETEX 16+ SOT23

 

 


J13009-2 transistor MOSFET à haute tension à haute tension de puissance de transistor de puissance de la Rapide-commutation NPN

Ratings* maximum absolu

Symbole Paramètre  Valeur  Unités
VCBO Tension de collecteur-base 700 V
VPRÉSIDENT  Tension de collecteur-émetteur  400  V
VEBO  Tension d'Émetteur-base V
I Courant de collecteur (C.C)  12  A

 

• Capacité à haute tension

• Vitesse de commutation élevée

• Approprié à l'alimentation d'énergie électronique de mode de ballast et de commutation

 

J13009-2 transistor MOSFET à haute tension à haute tension de puissance de transistor de puissance de la Rapide-commutation NPN

J13009-2 transistor MOSFET à haute tension à haute tension de puissance de transistor de puissance de la Rapide-commutation NPN

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