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Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de MJD112T4G, transistors de puissance complémentaires de Darlington

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de MJD112T4G, transistors de puissance complémentaires de Darlington

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Numéro de type :MJD112T4G
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :10pcs
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :8600pcs
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Tension de Collector−Emitter :100 volts continu
Tension de Collector−Base :100 volts continu
Tension d'Emitter−Base :5 VOLTS CONTINU
Courant bas :mAdc 50
Dissipation de puissance totale @ comité technique = 25°C :20 W
Opération et température ambiante de jonction de stockage :−65 au °C +150
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Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de MJD112T4G, transistors de puissance complémentaires de Darlington

 

MJD112 (NPN)

MJD117 (PNP)

Transistors de puissance complémentaires de Darlington

 

DPAK pour les applications extérieures de bâti

 

TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM

2 AMPÈRES

100 VOLTS

20 WATTS

 

Conçu pour la puissance et la commutation d'usage universel telle que des étapes de sortie ou de conducteur dans les applications telles que des régulateurs de commutation, des convertisseurs, et des amplificateurs de puissance.

 

Caractéristiques

• Les paquets de Pb−Free sont disponibles

• Avance formée pour les applications extérieures de bâti dans des gaines plastiques (aucun suffixe)

• Version droite d'avance dans suffixe des gaines plastiques ("−1 »)

• Version formée par avance dans la bande de 16 millimètres et la bobine (« T4 » et suffixe de « RL »)

• Électriquement semblable à la série TIP31 et TIP32 populaire

 

ESTIMATIONS MAXIMUM

Évaluation Symbole Maximum Unité
Tension de Collector−Emitter VPRÉSIDENT 100 Volts continu
Tension de Collector−Base VCB 100 Volts continu
Tension d'Emitter−Base VEB 5 Volts continu

− de courant de collecteur continu

                               Crête

IC

2

4

CDA
Courant bas IB 50 mAdc

Dissipation de puissance totale @ comité technique = 25°C

         Sous-sollicitez au-dessus de 25°C

PD

20

0,16

W

W/°C

Puissance totale Dissipation* @ MERCI = 25°C

         Sous-sollicitez au-dessus de 25°C

PD

1,75

0,014

W

W/°C

Opération et température ambiante de jonction de stockage TJ, stgde T −65 à +150 °C

Les estimations maximum sont ces valeurs au delà dont les dommages de dispositif peuvent se produire. Les estimations maximum appliquées au dispositif sont différentes valeurs limites d'effort (fonctionnement non normal) et sont invalides simultanément. Si ces limites sont dépassées, l'opération fonctionnelle de dispositif n'est pas impliquée, les dommages peuvent se produire et la fiabilité peut être affectée.

 

DIAGRAMMES D'INSCRIPTION

Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de MJD112T4G, transistors de puissance complémentaires de Darlington

 

DIMENSIONS DE PAQUET

DPAK

CAS 369C

QUESTION O

Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de MJD112T4G, transistors de puissance complémentaires de Darlington

 

DPAK−3

CAS 369D−01

QUESTION B

Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de MJD112T4G, transistors de puissance complémentaires de Darlington

 

 

 

 

 

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