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Transistor MOSFET IC, émetteur-récepteur octal de basse tension de puissance de MC74LCX245DTR2G de CMOS

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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Transistor MOSFET IC, émetteur-récepteur octal de basse tension de puissance de MC74LCX245DTR2G de CMOS

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Numéro de type :MC74LCX245DTR2G
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :10pcs
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :8600pcs
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Tension d'alimentation de C.C :−0.5 à +7,0 V
Tension d'entrée de C.C :−0.5 ≤ +7,0 V DU ≤ VI
Courant de diode d'entrée de C.C :-50 mA
Source de sortie de C.C/courant d'évier :±50 mA
Courant au sol de C.C par Pin de la terre :±100 mA
Température ambiante de température de stockage :−65 au °C +150
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Émetteur-récepteur octal de basse tension de MC74LCX245 CMOS

Avec 5 entrées et sorties de V−Tolerant (3−State, Non−Inverting)

 

Le MC74LCX245 est une haute performance, non−inverting l'émetteur-récepteur octal fonctionnant à partir d'un approvisionnement de 2,0 à 5,5 V. Les entrées compatibles à grande impédance de TTL ramènent de manière significative le chargement actuel aux conducteurs d'entrée tandis que les sorties compatibles de TTL offrent la représentation de changement améliorée de bruit. Des spécifications VI de 5,5 V permettent aux entrées MC74LCX245 d'être sans risque conduites par 5 dispositifs de V si VCC est moins de 5,0 V. Le MC74LCX245 convient à l'entraînement d'adresse mémoire et à toutes les applications d'émetteur-récepteur orientées par autobus de niveau de TTL.

La capacité actuelle d'entraînement est de 24 mA aux ports d'A et de B. La transmission/réception (T/R) entré détermine la direction des données traversent l'émetteur-récepteur de bi−directional. Transmettez (active−HIGH) permet des données des ports d'A aux ports de B ; Recevez (active−LOW) permet des données de B aux ports d'A. La sortie permettent l'entrée, quand la HAUTE, les débronchements A et B met en communication en les plaçant dans un état ÉLEVÉ de Z.

 

Caractéristiques

• Conçu pour l'opération de 2,0 à 5,5 V VCC

• Capacité tolérante d'interface de − de 5 V avec la logique de 5 V TTL

• Les appuis vivent insertion et retrait

• IOUTRE des spécifications garantit à grande impédance quand VCC = 0 V

• LVTTL compatible

• LVCMOS compatible

• 24 éviers équilibrés de sortie de mA et capacité de source

• Près du courant statique zéro d'approvisionnement dans chacun des trois états de logique (10 A)

  Réduit sensiblement l'alimentation électrique de système

• La représentation de Latchup dépasse 500 mA

• Représentation d'ESD : Corps humain >2000 modèle V

                                 Modèle de machine >200 V

• Préfixe de NLV pour applications des véhicules à moteur et autres exigeant le site unique et

  Conditions de rupture de contrôle ; AEC−Q100 qualifié et PPAP capable

• Ces dispositifs sont Pb−Free, l'halogène Free/BFR libèrent et sont RoHS conforme

 

ESTIMATIONS MAXIMUM

Symbole Paramètre Valeur Condition Unité
VCC Tension d'alimentation de C.C −0.5 à +7,0   V
VI Tension d'entrée de C.C −0.5 ≤ +7,0DU ≤ VI   V
VO Tension de sortie de C.C −0.5 ≤ +7,0DU ≤ VO Sortie dans 3−State V
−0.5 ≤ VDU ≤ VOCC + 0,5 Sortie dans l'état ÉLEVÉ ou BAS (note 1) V
IIK Courant de diode d'entrée de C.C −50 VI< GND=""> mA
IOK Courant de diode de sortie de C.C −50 VO < GND=""> mA
+50 VO > VCC mA
IO Source de sortie de C.C/courant d'évier ±50   mA
ICC Courant d'approvisionnement de C.C par Pin d'approvisionnement ±100   mA
ILATERRE Courant au sol de C.C par Pin de la terre ±100   mA
TSTG Température ambiante de température de stockage −65 à +150   °C
MSL Sensibilité d'humidité   Niveau 1  

Les efforts dépassant des estimations maximum peuvent endommager le dispositif. Les estimations maximum sont des estimations d'effort seulement. L'opération fonctionnelle au-dessus des conditions de fonctionnement recommandées n'est pas impliquée. L'exposition prolongée aux efforts au-dessus des conditions de fonctionnement recommandées peut affecter la fiabilité de dispositif.

1. I on doit observer la capacité absolue d'O.

 

DIAGRAMMES D'INSCRIPTION                                             

Transistor MOSFET IC, émetteur-récepteur octal de basse tension de puissance de MC74LCX245DTR2G de CMOS   

 

Pinout (vue supérieure)

   Transistor MOSFET IC, émetteur-récepteur octal de basse tension de puissance de MC74LCX245DTR2G de CMOS

 

Diagramme de logique

Transistor MOSFET IC, émetteur-récepteur octal de basse tension de puissance de MC74LCX245DTR2G de CMOS

 

 

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