IRLR2905TRPBF TO-252 Alimentation MOSFET Transistor Circuit intégré Chip IC Electronics

IRLR2905TRPBF

± 15kV ESD protégé, + 3V à +5,5V, 1Microamp, 250kbps, RS-232 Emetteurs / Récepteurs

Lecteur de porte de niveau logique

Résistance ultra basse

Montage en surface (IRLR2905)

Plomb droit (IRLU2905)

Technologie avancée des procédés

Commutation rapide

Sans plomb

La description

Les HEXFET de cinquième génération de International Rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour obtenir la plus faible résistance possible par zone de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception de dispositifs robustes que les MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace pour une utilisation dans une grande variété d'applications. Le D-PAK est conçu pour le montage en surface à l'aide de techniques de soudage en phase vapeur, infrarouge ou à vagues. La version à tête droite (série IRFU) est destinée aux applications de montage en travers. Des niveaux de dissipation de puissance allant jusqu'à 1,5 watts sont possibles dans des applications de montage en surface typiques.

Absolute Maxim Évaluation

TC = 25 ° C Courant de drain continu, VGS @ 10V 42 ID @ TC = 100 ° C

Courant de drain continu, VGS @ 10V 30 A

IDM Courant de drain pulsé 160 PD @TC = 25 ° C

Dissipation de puissance 110 W Facteur de dérivation linéaire 0.71 W / ° C

Tension de porte à source VGS ± 16 V

EAS Avalanche d'énergie à pouls unique 210 mJ

IAR Avalanche Courant 25 A EAR Repetitive

Avalanche Énergie 11 mJ dv / dt Récupération de la diode de crête dv / dt 5.0 V / ns

TJ et -55 à + 175

TSTG Plage de température de stockage

Température de soudage, pendant 10 secondes 300 (1,6 mm du boîtier) ° C

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