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Transistor d'usage universel à haute tension de npn de silicium construit dans une diode plus humide, 2SD1290

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China Transistor d'usage universel à haute tension de npn de silicium construit dans une diode plus humide, 2SD1290 wholesale
  • China Transistor d'usage universel à haute tension de npn de silicium construit dans une diode plus humide, 2SD1290 wholesale

Transistor d'usage universel à haute tension de npn de silicium construit dans une diode plus humide, 2SD1290
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Numéro de type :2SD1290
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :20pcs
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :8000
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Tension de collecteur-base :1500v
tension d'Émetteur-base :5V
Dissipation de puissance de collecteur :50W
La température de jonction :130℃
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Transistor d'usage universel à haute tension 2SD1290 de npn de silicium construit dans une diode plus humide

 

DESCRIPTION

Transistor d'usage universel à haute tension de npn de silicium construit dans une diode plus humide, 2SD1290

·Avec le paquet de TO-3PN

·Diode intégrée d'amortisseur

·Haute tension, fiabilité élevée

·Zone ample d'exploitation sûre

 

APPLICATIONS

·Pour le débattement horizontal de la couleur TV

  applications de sortie

 

GOUPILLER
      PIN       DESCRIPTION
       1     Base
       2

    Collecteur ; relié à monter la base
       3     Émetteur

 

 

 

Capacités absolues (Ta=25℃)
 SYMBOLE        PARAMÈTRE            CONDITIONS    VALEUR    UNITÉ
   VCBO   Tension de collecteur-base    Ouvrez l'émetteur    1500      V
   VEBO   tension d'Émetteur-base    Ouvrez le collecteur      5      V
    IC   Courant de collecteur (C.C)        3      A
    ICM   Courant de collecteur (impulsion)       10      A
    PC   Dissipation de puissance de collecteur    TC=25℃      50      W
    Tj   La température de jonction       130      ℃
    Stgde T   Température de stockage     -55~130      ℃

 

 

CARACTÉRISTIQUES Tj=25℃ sauf indication contraire
 SYMBOLE          PARAMÈTRE         CONDITIONS   MINIMAL.   TYPE.   MAXIMUM.   UNITÉ
 V(BR)EBO  tension claque d'Émetteur-base  C.-À-D. =500mA ; IC=0     5         V
 VCEsat  Tension de saturation de collecteur-émetteur  IC=2A ; IB=0.75A         5,0     V
 VBEsat  Tension de saturation d'émetteur de base  IC=2A ; IB=0.75A          1,5     V
 ICBO  Courant de coupure de collecteur

 VCB=750V ; C.-À-D. =0

 VCB=1500V ; C.-À-D. =0

    

     50

      1

   μA

   mA
 Fede h  Gain actuel de C.C  IC=2A ; VCE=10V      3         8  
 ts  Temps d'entreposage IC=2A ILeak=0.75A, LB=5μH      3         7     μs
 tf  Temps de chute           1     μs
 VF  Tension en avant de diode  IF=-4A, IB=0          2,2      V

 

 

CONTOUR DE PAQUET

Transistor d'usage universel à haute tension de npn de silicium construit dans une diode plus humide, 2SD1290

 

Mots clés du produit:

general purpose acrylate sealants

horizontal output transistor

fire rated damper
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