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La carte de diodes Zener de puissance du silicium 1N5358B ébrèche le composant électronique

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Ville:shenzhen
Province / État:guangdong
Pays / Région:china
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La carte de diodes Zener de puissance du silicium 1N5358B ébrèche le composant électronique

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Numéro de type :SST25VF016B-50-4I-S2AF
Point d'origine :Originale
Quantité d'ordre minimum :5 pièces
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :10000pcs/day
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :contactez-nous pour plus de détails
Dissipation de puissance maximum :5w
Z-tension nominale :8,7… 200 V
Affaire en plastique :DO-201
Poids approximativement :0,8 g
Tolérance :±5%
Type :Diodes
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Silizium-Leistungs-Zener-Dioden (flächendiffundierte Dioden)
 
Z-tension nominale maximum Nominale Z-Spannung de Maximale Verlustleistung de dissipation de puissance
De boîtier en plastique de Kunststoffgehäuse de poids la matière plastique de Gewicht CA approximativement a la classification 94V-0 d'UL
Emballage standard de klassifiziert de Gehäusematerial UL94V-0 attaché du ruban adhésif dans le gegurtet standard de Lieferform de paquet de munitions dans le Munition-paquet
 
La tolérance standard de tension de Zener est ±5%). D'autres tolérances de tension et tensions plus élevées de Zener sur demande.
Meurent IST de Zener-Spannung de der de Toleranz dans le der ±5% standard-Ausführung. Höhere d'Andere Toleranzen oder
Forces d'appoint Anfrage d'Arbeitsspannungen.
 
Dissipation de puissance Verlustleistung
Ptot
5 W 1)
Dissipation non répétitive de puissance de crête, t < 10="" ms="">
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10="" ms="">
PZSM
 
80 W
 
La température de jonction fonctionnante – Sperrschichttemperatur
Température de stockage – Lagerungstemperatur
Tj
SOLIDES TOTAUX
-50… +150°C
-50… +175°C
Jonction de résistance thermique à l'air ambiant
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 25="" K="">
Jonction de résistance thermique au terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
RthL <8 K="">

 

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