IC de programmation original ébrèche 256K 32K X 8 la mémoire instantanée AT29C256 de 5 volts seulement CMOS

IC de programmation original ébrèche 256K 32K X 8 la mémoire instantanée AT29C256 de 5 volts seulement CMOS

256K (mémoire instantanée de 5 volts AT29C256 de 32K X 8) seulement

Caractéristiques

• Jeûnent le temps d'accès en lecture – 70 NS

• seulement reprogrammation de 5 volts

• Opération de programme de page

  – Le cycle simple reprogramment (effacement et programme)

  – Adresse interne et verrous de données pour 64 octets

• Contrôle et minuterie de programme internes

• Protection des données de matériel et de logiciel

• Durées de cycle rapides de programme

  – Temps de programme de page (octet 64) – Mme 10

  – Temps d'effacement de puce – Mme 10

• Vote de DONNÉES pour la fin de la détection de programme

• Dissipation de basse puissance

  – courant actif de 50 mA

  – courant de réserve de 300 µA CMOS

• Résistance typique > 10 000 cycles

• 5V approvisionnement simple du ± 10%

• Entrées et sorties compatibles de CMOS et de TTL

• Températures ambiantes commerciales et industrielles

Description

L'AT29C256 est une mémoire fixe programmable et effaçable réservée à la cinq d'instantané de dans-système (PEROM). Son 256K de mémoire est organisé en tant que 32 768 mots par 8 bits. Construit avec la technologie non-volatile avancée du CMOS d'Atmel, le dispositif offre des temps d'accès à 70 NS avec la dissipation de puissance juste de 275 mW. Quand le dispositif est ne pas sélectionner, le courant de réserve de CMOS est moins le µA de 300. La résistance de dispositif est telle que n'importe quel secteur peut typiquement être écrit à au-dessus de 10 000 fois.

Brochages

Vue supérieure de PLCC et de LCC

Note : Les bornes 1 et 17 de paquet de PLCC sont NE SE RELIENT PAS.

Type 1 de vue supérieure de TSOP

Pour tenir compte du reprogrammability simple de dans-système, l'AT29C256 n'exige pas des tensions d'entrée élevées pour la programmation. les commandes réservées à la cinq déterminent le fonctionnement du dispositif. La lecture des données hors du dispositif est semblable à la lecture d'une MÉMOIRE RAM statique. La reprogrammation de l'AT29C256 est exécutée sur une base de page ; 64 octets de données sont chargés dans le dispositif et simultanément puis programmés. Le contenu du dispositif entier peut être effacé à l'aide d'un six-octet intègre dans le logiciel (bien que l'effacement avant la programmation n'est pas nécessaire). Pendant un cycle de reprogrammation, les emplacements d'adresse et 64 octets de données sont intérieurement verrouillés, libérant le bus d'adresse et de données pour d'autres opérations. Après l'initiation d'un cycle de programme, le dispositif effacera automatiquement la page et programmera alors les données verrouillées utilisant une minuterie de contrôle interne. La fin d'un cycle de programme peut être détectée par le vote de DONNÉES d'I/O7. Une fois la fin d'un cycle de programme a été détectée un nouvel accès pour lue, programme ou l'effacement de puce peut commencer.

Schéma fonctionnel

Ratings* maximum absolu

La température sous la polarisation ................................ -55°C à +125°C

Température de stockage ..................................... -65°C à +150°C

Toutes les tensions d'entrée (goupilles y compris d'OR)

en ce qui concerne la terre ................................... - 0.6V à +6.25V

Toutes les tensions de sortie

en ce qui concerne la terre ............................. - 0.6V à VCC + 0.6V

Tension sur OE

en ce qui concerne la terre ................................... - 0.6V à +13.5V

*NOTICE : Les efforts au delà de ceux énumérés sous « des capacités absolues » peuvent endommager permanent le dispositif. C'est un effort évaluant seulement et l'opération fonctionnelle du dispositif à ces derniers ou d'aucune autre condition au delà de ceux indiqués dans les sections opérationnelles de ces spécifications n'est pas impliquée. L'exposition aux conditions de capacité absolue pendant des périodes prolongées peut affecter la fiabilité de dispositif.