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74HC00 ; 74HCT00
Porte NON-ET entrée du quadruple 2
CARACTÉRISTIQUES
• Se conforme à la norme non 8-1A de JEDEC
• Protection d'ESD :
HBM EIA/JESD22-A114-A dépasse 2000 V
Le millimètre EIA/JESD22-A115-A dépasse 200 V
• Spécifique de −40 au °C +85 et de −40 à +125 °C.
DESCRIPTION
Les 74HC00/74HCT00 sont les dispositifs ultra-rapides de la SI-porte CMOS et sont goupille compatible avec la puissance faible Schottky TTL (LSTTL). Ils sont spécifiés conformément à la norme non 7A de JEDEC.
Les 74HC00/74HCT00 fournissent la fonction de non-et entrée par 2.
DONNÉES DE RÉFÉRENCE RAPIDE
LA TERRE = 0 V ; Tamb = °C 25 ; TR = tf = 6 NS.
SYMBOLE | PARAMÈTRE | CONDITIONS | TYPIQUE | UNITÉ | |
74HC00 | 74HCT00 | ||||
tPHL/tPLH | Na de retard de propagation, NOTA: au nY | CL = 15 PF ; VCC = 5 V | 7 | 10 | NS |
CI | capacité d'entrée | 3,5 | 3,5 | PF | |
PALLADIUMDE C | capacité de dissipation de puissance par porte | notes 1 et 2 | 22 | 22 | PF |
Notes
1. Lepalladiumde C est employé pour déterminer la dissipation de puissance dynamique (PD dans le µW).
Pcc2 de ×du × fidu × V depalladium deD = de C N + Σ (CLcc de × fo de × V2) où :
fi = fréquence entrée dans le mégahertz ;
fo = fréquence produite dans le mégahertz ;
CL = capacité produite de charge dans le PF ;
Vcc = tension d'alimentation en volts ;
Sorties de commutation de charge de N = de total ;
Σ (× FO de × VCC2 de CL) = somme des sorties.
2. Pour 74HC00 la condition est VI = la terre à Vcc.
Pour 74HCT00 la condition est VI = la terre au − 1,5 V. de Vcc.
Brochage Fig.1 DIP14, SO14 et (T) SSOP14.
Brochage Fig.2 DHVQFN14. Diagramme de logique Fig.3 (une porte).
Diagramme de la fonction Fig.4. Symbole de logique du CEI Fig.5.