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Anterwell Technology Ltd.

Ville:shenzhen

Province / État:guangdong

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China La puce du circuit intégré 74HC20D, conjuguent 4 composants électroniques entrés d'IC de porte NON-ET wholesale

La puce du circuit intégré 74HC20D, conjuguent 4 composants électroniques entrés d'IC de porte NON-ET

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Numéro de type :74HC20D

Point d'origine :Usine originale

Quantité d'ordre minimum :10pcs

Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal

Capacité d'approvisionnement :8300pcs

Délai de livraison :jour 1

Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails

Na de retard de propagation, NOTA:, OR, ND au nY :8 NS

capacité d'entrée :3,5 PF

capacité de dissipation de puissance par paquet :22 PF

Capacité de sortie :standard

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La puce du circuit intégré 74HC20D, conjuguent 4 composants électroniques entrés d'IC de porte NON-ET

Conjuguent la porte NON-ET entrée par 4 74HC/HCT20

CARACTÉRISTIQUES

• Capacité de sortie : standard

• I catégorie de_cc : SSI

DESCRIPTION GÉNÉRALE

Les 74HC/HCT20 sont les dispositifs ultra-rapides de la SI-porte CMOS et sont goupille compatible avec la puissance faible Schottky TTL (LSTTL). Ils sont spécifiés conformément à la norme non 7A de JEDEC. Les 74HC/HCT20 fournissent la fonction de non-et entrée par 4.

DONNÉES DE RÉFÉRENCE RAPIDE

LA TERRE = 0 V ; _Ambde T = °C 25 ; t_r = t_f = 6 NS

SYMBOLE	PARAMÈTRE	CONDITIONS	TYPIQUE		UNITÉ
SYMBOLE	PARAMÈTRE	CONDITIONS	HC	HCT	UNITÉ
t_PHL/t_PLH	Na de retard de propagation, NOTA:, OR, ND au nY	C_L = 15 PF ; V_CC = 5 V	8	13	NS
C_I	capacité d'entrée		3,5	3,5	PF
_PALLADIUMDE C	capacité de dissipation de puissance par paquet	notes 1 et 2	22	17	PF

Notes

1. _{Lepalladiumde} C est employé pour déterminer la dissipation de puissance dynamique (P_D dans le µW) :

P_cc de × f_i du × V_depalladium^de_D = de C² + ∑ (C_Lcc de × f_o de × V²) où :

f_i = fréquence entrée dans le mégahertz

f_o = fréquence produite dans le mégahertz

C_L = capacité produite de charge dans le PF

V_cc = tension d'alimentation dans V

∑ (C_Lcc de × f_o de × V²) = somme de sorties

2. Pour HC la condition est V_I = la terre à V_cc

Pour HCT la condition est V_I = la terre au − 1,5 V de V_cc

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