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Le module d'alimentation du transistor MOSFET BSM50GP120, l'électronique IC d'IGBT ébrèche 0,8 tensions de seuil de V

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China Le module d'alimentation du transistor MOSFET BSM50GP120, l'électronique IC d'IGBT ébrèche 0,8 tensions de seuil de V wholesale
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Le module d'alimentation du transistor MOSFET BSM50GP120, l'électronique IC d'IGBT ébrèche 0,8 tensions de seuil de V
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Numéro de type :BSM50GP120
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :5pcs
Conditions de paiement :T / T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :4500PCS
Délai de livraison :jour 1
Détails d'emballage :veuillez me contacter pour des détails
Tension en avant :1,05 V
Tension de seuil :0,8 V
résistance de pente :6,5 m Ω
Courant inverse :3 mA
résistance d'avance, terminal-puce :4 m Ω
La température de jonction maximum :°C 150
Température de fonctionnement :°C -40 à 125
La température de stockage :°C -40 à 125
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Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
HIN202CBN 16402 INTERSIL 16+ CONCESSION
HIP0082AB 6910 INTERSIL 16+ HSOP
HIP4082IP 3469 INTERSIL 15+ DIP-16
HIP4082IPZ 7664 NTERSIL 16+ DIP-16
HJR-3FF-S-Z-24VDC 9641 TIANBO 13+ IMMERSION
HJR-3FF-S-Z-5VDC 12765 TIANBO 16+ IMMERSION
HK160882NJ-T 20000 TAIYO 16+ SMD
HK1608R47J-T 20000 TAIYO 15+ SMD
HM6264ALFP-10T 3440 HITACHI 16+ SOP-28
HMA121CR3V 15758 FAIRCHILD 09+ SOP-4
HMC241QS16ETR 6244 HITTITE 15+ SSOP-16
HMC311SC70E 1242 HITTITE 14+ SC70-6
HMC336MS8GE 2565 HITTITE 13+ MSOP-8
HMC336MS8GETR 8737 HITTITE 07+ MSOP
HMC349AMS8GE 4906 HITTITE 16+ MSOP-8
HMC362S8G 1795 HITTITE 12+ SOP-8
HMC429LP4ETR 1093 HITTITE 15+ HCP-16
HMC476MP86E 2596 HITTITE 15+ SOT-86
HMC539LP3ETR 1984 HITTITE 12+ QFN
HMC618LP3ETR 1199 HITTITE 10+ QFN
HN16012CG 7669 MINGTEK 13+ SOP-16
HN16613CG 9641 MINGTEK 13+ SOP-16
HN16614CG 3522 MINGTEK 16+ SOP-16
HR911105A 3493 HANRUN 14+ RJ45
HS01G 21143 SUR 14+ SOP-8
HSMG-C170 89000 AVAGO 07+ SMD
HSMH-C170 92000 AVAGO 07+ SMD0805R
HSMM-A100-S00J1 26000 AVAGO 14+ SMD
HSMP-3816-TR1G 5933 AVAGO 15+ SOT23-5
HSMS-2820-TR1G 36000 ACVAGO 13+ SOT-23

 

 

IGBT-module BSM50GP120

 

Propriétés électriques

 

Valeurs évaluées maximum

Redresseur de diode

tension inverse maximale répétitive   VRRM 1600 V
Courant en avant de RMS par puce   IFRMSM 40 A
Le C.C expédient le courant TC = 80°C Id 50 A
la montée subite expédient le courant

tP = 10 Mme, vjde T = 25°C

tP = 10 Mme, vjde T = 150°C

 IFSM

500

400

 A
I 2 t - valeur

tP = 10 Mme, vjde T = 25°C

tP = 10 Mme, vjde T = 150°C

 I 2 t

1250

800

 Des2 s

 

Schéma de circuit

Le module d'alimentation du transistor MOSFET BSM50GP120, l'électronique IC d'IGBT ébrèche 0,8 tensions de seuil de V

 

Contours de paquet

Le module d'alimentation du transistor MOSFET BSM50GP120, l'électronique IC d'IGBT ébrèche 0,8 tensions de seuil de V

 

 

 

Mots clés du produit:

intersil power module

bga electronics graphic chips

thyristor diode modules
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